[发明专利]一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜

说明书

本发明涉及一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜，该方法包括：S1、旋涂转移涂层：选择表面满足光学级平整度的衬底，对衬底进行清洗烘干并在衬底表面上旋涂转移涂层；S2、固化：蒸发并冷却旋涂转移涂层后的衬底，以固化转移涂层；S3、沉积：选用金属材料，在固化的转移涂层表面沉积以生成预设厚度的金属薄膜；S4、剥离：在常温下将带有金属薄膜的衬底置于可溶解转移涂层的有机溶剂中，以分离金属薄膜；S5、转移：保持金属薄膜为展开状态并转移金属薄膜至无氧条件下烘干，以得到最终的独立金属薄膜。实施本发明能够获取满足要求的独立金属薄膜制备，方法简单易行，且成本低。

技术领域

本发明涉及金属薄膜制备技术领域，更具体地说，涉及一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜。

背景技术

在科学研究和实际半导体工艺中常常会用到厚度为几十到几百纳米的悬空薄膜，这种薄膜由于太薄不宜剥离，因此很难采用常规方法制备。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述技术缺陷，提供一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种独立金属薄膜制备方法，包括以下步骤：

S1、旋涂转移涂层：选择表面满足光学级平整度的衬底，对所述衬底进行清洗烘干并在所述衬底表面上旋涂转移涂层；

S2、固化：蒸发并冷却旋涂所述转移涂层后的衬底，以固化所述转移涂层；

S3、沉积：选用金属材料，在固化的转移涂层表面沉积以生成预设厚度的金属薄膜；所述沉积包括：

在真空条件下充入氩气，并通过溅射电源在所述转移涂层表面沉积生成所述金属薄膜；或

在真空条件下通过电子束电源对所述金属材料加热气化，以在所述转移涂层表面沉积生成所述金属薄膜；

S4、剥离：在常温下将带有所述金属薄膜的衬底置于可溶解所述转移涂层的有机溶剂中，以分离所述金属薄膜；

S5、转移：保持所述金属薄膜为展开状态并转移所述金属薄膜至无氧条件下烘干，以得到最终的独立金属薄膜。

优选地，在所述步骤S1中，所述在所述衬底表面上旋涂转移涂层过程中，所述转移涂层厚度为所述金属薄膜的预设厚度的0.5-2倍。

优选地，在所述步骤S3中，在所述在固化的转移涂层表面沉积以生成预设厚度的金属薄膜过程中，所述衬底温度不超过80℃。

优选地，在所述步骤S3中，所述在真空条件下充入氩气包括：充入氩气至气压满足0.4-4Pa。

优选地，在所述步骤S3中，所述金属薄膜的预设厚度为50-1000nm。

优选地，在所述步骤S1中，所述衬底的表面平整度为±10nm。

优选地，在所述步骤S3中，所述金属材料为Au、Ag、Cu、Cr、Al、Ni、Ti中的一种或多种。

优选地，在所述步骤S5中，所述转移过程包括，使用网状结构或中空的环形框工具对所述金属薄膜进行托举以保持所述金属薄膜为展开状态。

优选地，在所述步骤S2后，还执行以下步骤：

S2-1、预设图案：在固化后的转移涂层表面设置预设图案。

本发明还构造一种金属薄膜，通过上面任意所述的独立金属薄膜制备方法制备获取。

实施本发明的独立金属薄膜制备方法及金属薄膜，具有以下有益效果：能够获取满足要求的独立金属薄膜制备，方法简单易行，且成本低。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：