[发明专利]一种自支撑石墨烯膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810752835.0 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108793124B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高超;彭蠡;刘一晗;郭燕 | 申请（专利权）人： | 杭州高烯科技有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | C01B32/182 | 分类号： | C01B32/182;C01B32/198 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 石墨 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自支撑石墨烯膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
（1）将石墨烯膜从AAO基底膜上剥离，具体为：将表面贴合有石墨烯膜的AAO基底膜以石墨烯膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO基底膜，使得AAO基底膜下沉，石墨烯膜漂浮于水面；
（2）利用一基底将漂浮于水面的石墨烯膜从下往上捞起，使得石墨烯膜平铺于基底表面，且石墨烯膜与基底之间具有一层水介质；
（3）将表面载有石墨烯膜的基底进行冷冻干燥，石墨烯膜自支撑，且与基底分离；
其中，所述石墨烯膜为还原后的氧化石墨烯膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，按压位置为AAO基底膜的边缘。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯膜的厚度为4nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AAO基底膜的表面的孔隙率不小于40%。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中所述的基底为疏水基底。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中所述的基底的上表面具有凹陷区域。
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