[发明专利]太阳能电池制作方法

说明书

本发明提供的太阳能电池制作方法，涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括：提供一模具，该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽；在每一固定槽固定一衬底；在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层；在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层；在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层；在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层，并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节；在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层；在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层；分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法，可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池制作方法。

背景技术

太阳能作为可再生、清洁能源，被广泛关注。其中，通过半导体技术制造得到的太阳能电池因具有光电转换特性，而作为太阳能应用的一种常用器件。并且，太阳能电池的整体发电效率取决于该太阳能电池的各区域中最低的光电转换效率。也就是说，若太阳能电池的均匀性较差，将导致部分区域具有较高的光电转换效率、部分区域具有较低的光电转换效率，进而导致整体发电效率低的问题。

经发明人研究发现，现有技术中一般通过降低制造的太阳能电池的面积，以提高制造的太阳能电池的均匀性。但是，若通过现有技术实现单片或少量的太阳能电池的制造，将存在产率低的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种太阳能电池制作方法，以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：

一种太阳能电池制作方法，包括：

提供一模具，其中，该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽；

针对每一固定槽，将一衬底固定于该固定槽，其中，所述衬底为铁材料层；

针对每一衬底，在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层；

针对每一阻挡层，在该阻挡层的上方位置的一面制作电极层，其中，所述电极层为钼材料层；

针对每一电极层，在该电极层的上方位置的一面制作吸收层；

针对每一吸收层，在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层，并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节；

针对每一缓冲层，在该缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层；

针对每一高阻抗层，在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层；

分离所述模具，以得到N*M片具有保护层、衬底、阻挡层、电极层、吸收层、缓冲层、高阻抗层以及低阻抗层的太阳能电池。

在本发明实施例较佳的选择中，在上述太阳能电池制作方法中，所述针对每一吸收层，在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层，并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节的步骤包括：

针对每一吸收层，在该吸收层的上方位置的一面通过物理气相沉积法制作三硫化二铟材料层、三硒化二铟材料层或硫化锌材料层，其中，所述三硫化二铟材料层、三硒化二铟材料层或硫化锌材料层作为缓冲层；

通过三氧化二铟或氧气对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节。

在本发明实施例较佳的选择中，在上述太阳能电池制作方法中，所述针对每一电极层，在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤包括：

针对每一电极层，在该电极层的上方位置的一面制作铜铟镓硒材料层，其中，所述铜铟镓硒材料层作为吸收层。