[发明专利]一种多孔有机半导体薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种多孔有机半导体薄膜的制备方法，其特征在于，将有机半导体材料与高分子聚合物溶解在有机溶剂中，混合均匀形成前驱体溶液，利用旋涂仪将前驱体溶液旋涂到基底上，基于气息图案原理，获得多孔有机半导体薄膜；所述旋涂的温度为20～60℃、相对湿度为40%～80%。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料为可溶性小分子型有机半导体材料或共轭高分子型有机半导体材料。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料为并五苯、酞菁、金属络合物、聚乙炔或聚噻吩及其衍生物。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高分子聚合物为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯醚、聚乳酸、聚醚酰亚胺或聚丁二烯。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为氯仿、二硫化碳、甲苯或四氢呋喃中的任一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底为硅衬底、玻璃或柔性衬底。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液的浓度为5～15mg/mL，前驱体溶液中有机半导体材料与高分子聚合物的质量比为(0.5～2):1。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂的速度为1000～5000rpm。