[发明专利]一种上下管mosfet的控制方法及其装置有效
申请号: | 201810716414.2 | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN108933473B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 郭本强;吴建峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市英威腾光伏科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/35 | 分类号: | H02J7/35;H02M1/088;H02M1/38 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518055 广东省深圳市南山区桃源*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 上下 mosfet 控制 方法 及其 装置 | ||
本发明公开了一种上下管mosfet的控制方法、装置及太阳能充电控制器,该方法包括:获取充电电流的电流值;判断电流值是否大于第一阈值;若是,则输出对应时序的预设数量的PWM信号控制太阳能充电控制器的上管mosfet和下管mosfet均间隔导通,且上管mosfet和下管mosfet不同时导通,使太阳能充电控制器工作在连续模式;本发明通过软件输出预设数量的PWM信号,可以控制太阳能充电控制器的上下管mosfet的导通和关断,有效的降低了下管mosfet续流时的温升,减少了太阳能充电控制器的成本,提高了用户体验。
技术领域
本发明涉及太阳能充电技术领域,特别涉及一种上下管mosfet的控制方法、装置及太阳能充电控制器。
背景技术
随着现代社会科技的发展,如太阳能的新型能源的应用越来越广泛。太阳能充电控制器作为太阳能发电系统中一个十分重要的部分,受到了广泛的使用。
现有技术中,太阳能充电控制器往往通过硬件调节上下管mosfet(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)死区,使得上下管mosfet的导通死区是固定参数,通过硬件实现增加了产品材料成本;并且在不同型号的管mosfet时,调节上下管mosfet的导通死区调节存在技术难题,不利于用户体验。因此,如何通过软件控制上下管mosfet的导通和关断,降低产品成本,提高用户体验,是现今急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种上下管mosfet的控制方法、装置及太阳能充电控制器,以通过软件发出的PWM信号控制上下管mosfet的导通和关断,降低产品成本,提高用户体验。
为解决上述技术问题,本发明提供一种上下管mosfet的控制方法,包括:
获取充电电流的电流值;
判断所述电流值是否大于第一阈值;
若是,则输出对应时序的预设数量的PWM信号控制太阳能充电控制器的上管mosfet和下管mosfet均间隔导通,且所述上管mosfet和所述下管mosfet不同时导通,使所述太阳能充电控制器工作在连续模式。
可选的,所述输出对应时序的预设数量的PWM信号控制太阳能充电控制器的上管mosfet和下管mosfet均间隔导通,且所述上管mosfet和所述下管mosfet不同时导通,包括:
输出对应时序的3路PWM信号控制所述上管mosfet和所述下管mosfet均间隔导通,且所述上管mosfet关断预设时间间隔后所述下管mosfet导通,所述下管mosfet关断时所述上管mosfet导通。
可选的,所述输出对应时序的3路PWM信号控制所述上管mosfet和所述下管mosfet均间隔导通,且所述上管mosfet关断预设时间间隔后所述下管mosfet导通,所述下管mosfet关断时所述上管mosfet导通,包括:
第一路PWM信号和第二路PWM信号通过或门电路生成第一输出信号;
所述第一输出信号和第三路PWM信号通过第一与门电路生成第二输出信号;
所述第一路PWM信号通过第二与门电路生成第三输出信号;
所述第二输出信号和所述第三输出信号通过预设芯片生成上管mosfet驱动信号和下管mosfet驱动信号。
可选的,所述预设芯片具体为IR2104STRPBF芯片。
可选的,所述判断所述电流值是否大于第一阈值之后,还包括:
若所述电流值不大于所述第一阈值,则判断所述电流值是否小于第二阈值;其中,所述第二阈值小于所述第一阈值;
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