[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201810716004.8 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216180B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 东博之;大塚贵久;篠原和義;中泽贵士;藤本诚也;道木裕一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
以往，已知一种在半导体的制造工序中通过向半导体晶圆(以下也称作晶圆)等基板供给碱性水溶液来对形成于基板上的多晶硅层进行蚀刻的基板处理方法(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开平9-246254号公报
发明内容
然而，在以往的基板处理方法中存在晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性不够的问题。
实施方式的一个方式是鉴于上述而完成的，其目的在于提供一种能够使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高的基板处理方法和基板处理装置。
实施方式的一个方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在所述低温溶解工序中使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在所述蚀刻工序中向基板供给溶解了氧的所述碱性水溶液来对所述基板进行蚀刻。
根据实施方式的一个方式，能够使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。
图2是示出处理单元和低温溶解部的结构的示意图。
图3是示出处理单元的具体的结构例的示意图。
图4是示出碱性水溶液的氧溶解温度与蚀刻量的面内分布之间的关系的图。
图5是示出碱性水溶液中的氧气的鼓入时间与溶解氧浓度之间的关系的图。
图6是用于说明参考例1中的晶圆的表面状态的图。
图7是用于说明实施方式所涉及的晶圆的表面状态的图。
图8A是示出参考例2中的蚀刻量的面内分布的图。
图8B是示出实施方式所涉及的蚀刻量的面内分布的图。
图9是示出氧化膜去除处理后的待机时间与蚀刻量之间的关系的图。
图10是示出氧化膜去除处理后的待机时间与蚀刻量的面内分布之间的关系的图。
图11是示出基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。
W：晶圆；L：碱性水溶液；1：基板处理系统；16：处理单元；18：控制部；40：处理流体供给部；70：低温溶解部。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本申请公开的基板处理方法和基板处理装置的实施方式。此外，本发明并不受以下所示的实施方式的限定。
基板处理系统的概要
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
