[发明专利]半导体装置的制造方法及焊接辅助工具在审

专利信息
申请号: 201810708741.3 申请日: 2018-07-02
公开(公告)号: CN109413886A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 丸山力宏;甲斐健志;安达和哉 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H05K3/34 分类号: H05K3/34
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周爽;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 焊料 陶瓷电路基板 辅助工具 配置区域 相邻连接区域 焊接 半导体元件 半导体装置 飞散 附着 熔融 凝固 半导体元件配置 固定半导体元件 回流焊接工序 电路图案 连接区域 键合线 覆盖 加热 制造 配置
【说明书】:

一种半导体装置的制造方法及焊接辅助工具,其能够防止在回流焊接工序时飞散的焊料小片向键合线的连接区域附着。在陶瓷电路基板的配置区域配置焊料,经由焊料将半导体元件配置在配置区域上。并且,在利用焊接辅助工具覆盖陶瓷电路基板的相邻连接区域的状态下,进行加热而使焊料熔融且凝固,从而在陶瓷电路基板的配置区域经由焊料固定半导体元件。在使焊料熔融且凝固而利用焊料将半导体元件固定于配置区域时,利用焊接辅助工具覆盖陶瓷电路基板的相邻连接区域。因此,防止从半导体元件的下部的焊料飞散的焊料小片附着于电路图案的相邻连接区域。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法及焊接辅助工具。

背景技术

包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSTFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件的半导体装置例如用作电力转换装置。这样的半导体装置包括该半导体元件以及具有绝缘板和形成于绝缘板的正面且供半导体元件配置的多个电路图案的陶瓷电路基板。而且,在电路图案的预定位置上,设置有用于安装外部端子的筒状的接触部件。

在制造这样的半导体装置时,需要在陶瓷电路基板的电路图案上的预定位置精度良好地配置接触部件。因此,利用以下的制造工序来制造半导体装置。

图30是用于说明半导体装置的制造方法中的焊接工序的图。

应予说明,图30放大表示半导体装置的制造方法的焊接工序时的主要部分。

陶瓷电路基板600具有:绝缘板601;配置于绝缘板601的正面的多个电路图案(其中,图示电路图案602a、602b);以及配置于绝缘板601的背面的金属板603。

将这样的陶瓷电路基板600放置在基板定位工具650,在陶瓷电路基板600的电路图案602a、602b上的半导体元件611、612、613及多个接触部件(其中,图示的是接触部件614)各自的配置区域涂布焊料。并且,将半导体元件611、612、613经由焊料配置于预定的配置区域。

另外,针对陶瓷电路基板600,放置在与接触部件614的预定配置区域对应的部位形成有多个定位孔(其中,图示的是定位孔661)的板状的定位工具660,在该定位孔661配置接触部件614。

并且,如图30所示,在定位工具660上放置接触部件按压工具670,将接触部件按压工具670向基板定位工具650侧移动,一边将接触部件614向陶瓷电路基板600侧按压一边进行减压加热(回流焊接工序)。此时,焊料熔融而固化,从而能够在陶瓷电路基板600的电路图案602a、602b上经由焊料621、622、623、624分别固定半导体元件611、612、613及接触部件614(回流焊接工序)。

通过上述工序,能够在陶瓷电路基板600的电路图案602a、602b上的预定位置分别配置半导体元件611、612、613及接触部件614(例如,参照专利文献1)。

从如此配置有半导体元件611、612、613及接触部件614的陶瓷电路基板600拆卸各种工具。并且,将半导体元件611、612、613的主电极、电路图案602a、602b通过键合线而电连接,在接触部件614安装有外部连接端子(省略图示)。

最终,通过密封部件将配置于陶瓷电路基板600上的各构成密封,构成半导体装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2014-187179号公报

发明内容

技术问题

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