[发明专利]半导体装置、电力模块和电力转换装置的控制方法在审
申请号: | 201810706113.1 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN109216355A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 鸣海聪 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/78 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应晶体管 电力转换装置 半导体装置 差分放大器 电力模块 电位差 半导体装置控制 高精度检测 控制器控制 关断状态 体二极管 控制器 导通 关断 结温 漏极 源极 检测 | ||
1.一种用于控制构成电力转换装置的多个场效应晶体管的半导体装置,
其中,所述场效应晶体管中的每个场效应晶体管包括体二极管,
其中,所述电力转换装置包括:
第一电源节点和第二电源节点,所述第一电源节点和第二电源节点提供相互不同的基准电位;
用以耦合到负载的第一耦合节点;
被耦合在所述第一电源节点和所述第一耦合节点之间的第一场效应晶体管;以及
被耦合在所述第二电源节点和所述第一耦合节点之间的第二场效应晶体管,
其中,所述半导体装置包括:
控制器,所述控制器通过脉冲宽度控制来控制构成所述电力变换装置的每个所述场效应晶体管的导通/关断;以及
差分放大器,所述差分放大器检测在所述第一耦合节点与所述第一电源节点之间的电位差。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,在第一时段中,所述控制器将所述第一场效应晶体管设置为关断状态,并且将所述第二场效应晶体管设置为导通状态,以使得电流经过所述负载和所述第二场效应晶体管来在所述第一电源节点和所述第二电源节点之间流动,
其中,在所述第一时段之后的第二时段中,所述控制器将所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管两者都设置为关断状态,以及
其中,在所述第二时段内,所述控制器借助于所述差分放大器来检测在所述第一耦合节点与所述第一电源节点之间的电位差。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,还包括:
第一开关,所述第一开关被耦合在所述第一耦合节点与所述差分放大器的第一输入节点之间;以及
采样保持电路,所述采样保持电路被耦合到所述差分放大器的输出节点,
其中,在所述第二时段中,所述控制器将所述第一开关设置为导通状态,以使所述采样保持电路能够对所述差分放大器的输出进行采样。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述电力转换装置还包括:
不同于所述第一耦合节点的第二耦合节点,所述第二耦合节点用以耦合到所述负载;
被耦合在所述第一电源节点和所述第二耦合节点之间的第三场效应晶体管;以及
被耦合在所述第二电源节点和所述第二耦合节点之间的第四场效应晶体管,以及
其中,所述差分放大器检测在所述第二耦合节点与所述第一电源节点之间的电位差。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,
其中,在第一时段中,所述控制器将所述第一场效应晶体管和所述第四场效应晶体管设置为导通状态,并且将所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管设置为关断状态,
其中,在所述第一时段之后的第二时段中,所述控制器将所述第一场效应晶体管设置为导通状态,并且将所述第二场效应晶体管、所述第三场效应晶体管、以及所述第四场效应晶体管设置为关断状态,以及
其中,在所述第二时段内,所述控制器借助于所述差分放大器来检测在所述第二耦合节点与所述第一电源节点之间的电位差。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,
其中,所述半导体装置还包括:
被耦合在所述第一耦合节点与所述差分放大器的第一输入节点之间的第一开关;
被耦合在所述第二耦合节点与所述差分放大器的所述第一输入节点之间的第二开关;以及
采样保持电路,所述采样保持电路被耦合到所述差分放大器的输出节点,以及
其中,在所述第二时段中,所述控制器将所述第一开关设置为关断状态,并且将所述第二开关设置为接通状态,以使得所述采样保持电路能够对所述差分放大器的输出进行采样。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的