[发明专利]各向异性导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201810699544.X | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109166649B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 筱原诚一郎 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B32B3/02 | 分类号： | B32B3/02;H01L23/00;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 各向异性 导电 及其 制造 方法 | ||
1.各向异性导电膜，其是将由绝缘性树脂构成的第1连接层与第2连接层进行层叠而成的各向异性导电膜，其中，
第1连接层中导电颗粒空出一定的间隔而存在，
第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层在第2连接层的方向具有起伏，在形成该起伏的第1连接层的绝缘性树脂层内包含导电颗粒，
在与第2连接层相反侧的第1连接层的表面，层叠有由绝缘性树脂构成的第3连接层，
相邻的导电颗粒间的中央区的绝缘性树脂层厚度t1薄于导电颗粒附近的绝缘性树脂层厚度t2，该相邻的导电颗粒间的中央区是指以相邻的导电颗粒间距离L的中点P为中心±L/4以内的区域。
2.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，第1连接层与第2连接层的边界形状为波型或凹凸型。
3.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂形成山型。
4.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂的起伏为山型，在该山型的起伏中包含导电颗粒，且彼此孤立。
5.权利要求1～4中任一项所述的各向异性导电膜，其中，导电颗粒陷入第2连接层中。
6.连接结构体，其是利用权利要求1～5中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接而形成的连接结构体。
7.连接结构体的制造方法，该方法是利用权利要求1～5中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接。
8.利用权利要求1～5中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接的连接方法，其中，
对于第2电子部件，从与其第1连接层的具有起伏侧的相反侧暂且贴附各向异性导电膜，在暂且贴附的各向异性导电膜上搭载第1电子部件，从第1电子部件侧进行热压合。
9.在第1连接层的导电颗粒侧表面形成主要由绝缘性树脂构成的第2连接层而得的膜，其中，
第1连接层中导电颗粒空出一定的间隔而存在，
第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层在第2连接层的方向具有起伏，在形成该起伏的第1连接层的绝缘性树脂层内包含导电颗粒，
相邻的导电颗粒间的中央区的绝缘性树脂层厚度t1薄于导电颗粒附近的绝缘性树脂层厚度t2，该相邻的导电颗粒间的中央区是指以相邻的导电颗粒间距离L的中点P为中心±L/4以内的区域。
10.权利要求9所述的膜，其中，第1连接层与第2连接层的边界形状为波型或凹凸型。
11.权利要求9或10所述的膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂形成山型。
12.权利要求9或10所述的膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂的起伏为山型，在该山型的起伏中包含导电颗粒，且彼此孤立。
13.权利要求9或10所述的膜，其中，导电颗粒陷入第2连接层中。
14.用于制造各向异性导电膜的、在第1连接层的导电颗粒侧表面形成主要由绝缘性树脂构成的第2连接层而得的膜，其中，
在第1连接层中导电颗粒排列或彼此不接触地设置，
在第1连接层中的导电颗粒间的绝缘性树脂中，相邻的导电颗粒间的中央区的绝缘性树脂层厚度t1薄于导电颗粒附近的绝缘性树脂层厚度t2，该相邻的导电颗粒间的中央区是指以相邻的导电颗粒间距离L的中点P为中心±L/4以内的区域。
15.权利要求14所述的膜，其中，在第1连接层中导电颗粒孤立地排列。
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