[发明专利]选择电路、可配置的存储器存储系统及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201810689927.9 申请日: 2018-06-28
公开(公告)号: CN109215702B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 许育豪;李政宏;杨振麟;郑基廷;吴福安;廖宏仁;杨荣平;张琮永;詹伟闵;陈炎辉;林洋绪;林建呈 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 选择 电路 配置 存储器 存储系统 及其 操作方法
【说明书】:

发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如,可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例,可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路,及可配置的存储器存储系统的操作方法。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域,更具体地,涉及选择电路,可配置的存储器存储系统及其操作方法。

背景技术

存储器件是用于读取和/或写入电子数据的电子器件。存储器件可以实现为诸如随机存取存储器(RAM)的易失性存储器,其中,该易失性存储器需要电源来保持其存储的信息,或实现为诸如只读存储器(ROM)的非易失性存储器,其中,该非易失性存储器即使在不供电时也能保持其存储的信息。可以在动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和/或非易失性随机存取存储器(NVRAM)(有时称为闪存)配置中实现RAM。可以从存储器单元阵列中读取电子数据和/或将电子数据写入到存储器单元阵列中,其中,可以通过各种控制线访问该存储器单元阵列。由存储器件实施的两个基本操作是“读取”,其中,读出存储在存储器单元阵列中的电子数据,和“写入”,其中,将电子数据存储到存储器单元阵列中。

发明内容

根据本发明的一方面,提供了一种存储器存储系统,包括:偏置电路,配置为从多个工作电压信号中选择性地提供最大工作电压信号;选择电路,配置为从所述多个工作电压信号中选择性地提供工作电压信号,所述选择电路包括:选择控制处理电路,配置为提供多个第一开关控制信号,其中,所述多个第一开关控制信号中的至少一个第一开关控制信号处于与所述最大工作电压信号相对应的逻辑电平,以及多个第一开关,配置为根据所述多个第一开关控制信号从所述多个工作电压信号中选择性地提供所述工作电压信号;以及存储器件,配置为接收所述工作电压信号。

根据本发明的另一方面,提供了一种选择电路,用于从多个工作电压信号中选择性地提供工作电压信号,所述选择电路包括:选择控制处理电路,配置为根据选择控制信号提供多个开关控制信号,其中,所述多个开关控制信号参考与所述多个工作电压信号中的第一工作电压信号相对应的第一域,并且所述选择控制信号参考与所述多个工作电压信号中的第二工作电压信号相对应的第二域,所述第二工作电压信号小于所述第一工作电压信号;以及多个开关,配置为根据所述多个开关控制信号选择性地从所述多个工作电压信号中提供所述工作电压信号。

根据本发明的又一方面,提供了一种用于操作存储器存储器件的方法,所述方法包括:通过存储器存储器件接收第一控制信号和第二控制信号,其中,所述第一控制信号指示来自于多个工作电压信号中的最大工作电压信号并且所述第二控制信号指示来自于所述多个工作电压信号中的工作电压信号;根据所述第一控制信号通过所述存储器存储器件提供来自于所述多个工作电压信号中的所述最大工作电压信号;通过所述存储器存储器件将所述第二控制信号从与所述多个工作电压信号中的比所述最大工作电压信号更小的工作电压信号相对应的第一域转换至与所述最大工作电压信号相对应的第二域以根据所述第二控制信号提供多个开关控制信号;基于所述多个开关控制信号中的第一开关控制信号通过所述存储器存储器件激活多个开关中的第一开关以从所述多个工作电压信号中选择性地提供第一工作电压信号;基于所述多个开关控制信号中的第二开关控制信号通过所述存储器存储器件停用所述多个开关中的第二开关以禁止所述第二开关从所述多个工作电压信号中选择性地提供第二工作电压信号;以及通过存储器存储器件的多个第二开关接收所述第一工作电压信号。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出根据本发明的示例性实施例的示例性存储器存储系统的框图;

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