[发明专利]切割带一体型粘接性片

说明书

本发明提供一种切割带一体型粘接性片，其适于在为了通过半导体晶圆的单片化得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而使用切割带一体型粘接性片进行的割断用扩展工序中实现粘接性片的良好割断。本发明的切割带一体型粘接性片(X)具备切割带(20)和粘接性片。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带(20)的粘合剂层(22)密合。粘接性片例如为半导体芯片背面保护用的薄膜(10)。粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、‑15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。

技术领域

本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型粘接性片。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，有时会在对作为工件的半导体晶圆贴合与其对应大小的切割带一体型粘接性片的基础上，经过该半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片。作为切割带一体型粘接性片，可列举出切割带一体型背面保护薄膜、所谓的切割芯片接合薄膜等。切割带一体型背面保护薄膜具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的背面保护薄膜，用于得到伴有与半导体芯片背面保护用的芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片。另一方面，切割芯片接合薄膜具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的芯片接合薄膜，用于得到伴有与芯片大小相当的芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片。这些涉及切割带一体型粘接性片的技术记载于例如下述专利文献1～4。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

专利文献3：日本特开2011-151360号公报

专利文献4：日本特开2016-213244号公报

发明内容

发明要解决的问题

作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有经历用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展并将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆被加工为例如能够在之后的芯片接合薄膜的割断中被割断并单片化为多个半导体芯片。接着，为了以从切割带上的芯片接合薄膜上产生分别与半导体芯片密合的多个粘接性薄膜小片的方式割断该芯片接合薄膜，将切割芯片接合薄膜的切割带扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜上的半导体晶圆中的与芯片接合薄膜割断部位所对应的部位也产生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上将半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。接着，例如经过清洗工序后，各半导体芯片与在其上密合的相当于芯片大小的粘接薄膜一起从切割带的下侧通过拾取机构的销构件被顶起并从切割带上被拾取。如此，可以得到带有芯片接合薄膜用粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片隔着该粘接薄膜并通过芯片接合而固着于安装基板上。

切割带一体型粘接性片用于上述那样的割断用扩展工序时，对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片要求可在该扩展工序中在割断预定部位被适宜地割断。

本发明是基于以上那样的情况而考虑出的，其目的在于提供一种切割带一体型粘接性片，其适于为了通过半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而在使用切割带一体型粘接性片进行的割断用的扩展工序中实现粘接性片的良好割断。

用于解决问题的方案