[发明专利]浆料冷却设备和具有该浆料冷却设备的浆料供给系统有效
| 申请号: | 201810679036.5 | 申请日: | 2018-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN110014371B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 李相昊 | 申请(专利权)人: | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号: | B24B57/02 | 分类号: | B24B57/02;B28D7/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱立鸣 |
| 地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 浆料 冷却 设备 具有 供给 系统 | ||
根据本发明,提供了一种浆料供给系统,包括:浆料混合单元,该浆料混合单元构造成对浆料进行混合;浆料供给单元,在浆料混合单元中混合好的浆料被储存在所述浆料供给单元中,并且浆料供给单元构造成将浆料供给至抛光装置;管道,该管道构造成连接浆料混合单元与浆料供给单元;以及浆料冷却单元,该浆料冷却单元安装在被构造成连接浆料供给单元与抛光装置的管道中的至少一个管道之中,以冷却混合浆料。
相关申请的交叉引用
本申请基于35U.S.C.§119要求主张于2018年1月8日提交的韩国专利申请第10-2018-0002074号优先权,并通过引用并入于此。
技术领域
本发明涉及一种半导体处理装置,更具体而言,涉及一种用于向抛光装置供给浆料的装置。
背景技术
通过以下步骤等将半导体晶片制造成晶片:切片处理,用于将单晶硅晶锭薄切片而成晶片形状;研磨处理,用于在抛光至期望厚度的同时提高平整度;蚀刻处理,用于移除晶片内的受损层;抛光处理,用于提高晶片表面上的镜面度和平整度;清洁处理,用于去除晶片表面上的污染物;等等。
同时,对被构造成执行研磨处理和抛光处理的抛光设备连续地供给混合浆料,在所述混合浆料中混合有抛光颗粒、分散剂、稀释剂、去离子水等等。为此,抛光设备连接到具有浆料罐的浆料供给系统,其中,浆料在所述浆料罐中混合,且混合后的浆料储存在所述浆料罐中。
图1是一种实施例的浆料供给系统的构造图,而图2是图1的浆料罐的内部的横截面图。
如图1所示,浆料供给系统10可以包括:浆料混合单元100,所述浆料混合单元100构造成对浆料进行混合;以及浆料供给单元200,混合浆料储存在所述浆料供给单元200中,并被供给至抛光装置(FP)300。泵130、150、220安装在浆料供给系统10中,为每个浆料罐120、140、210强制输送浆料。
如上所述,由于浆料供给系统100运行泵130、150、220,储存在浆料罐120、140、210中的混合浆料的温度上升,并且其物理性质发生变化。因此,为了将混合浆料的温度降低到适当的温度,冷却水所流过的冷却器管线310、320、330沿着浆料罐120、140、210的内周面安装在浆料罐120、140、210中。如图2所示,冷却器管线310、320、330的位置由固定架350固定在浆料罐120、140、210内。
然而,冷却器管线310、320、330可能被冷却器管线310、320、330与固定架350之间发生的摩擦所破坏,所述摩擦是由于浆料罐120、140、210中流动的浆料的流动和沿着冷却器管线310、320、330流动的冷却水的流动所引起的。
因此,浆料可能会由通过冷却器管线310、320、330而发生在浆料罐120、140、210中的冷却水泄漏所污染,而在抛光装置(FP)300中被抛光的晶片质量可能由于污染的浆料而降级。
另外,由于冷却器管线310、320、330是安装在浆料罐120、140、210中的,因此,即使发生泄漏,也不能用肉眼来检查,因而难以立即应对。
发明内容
本发明旨在提供一种浆料冷却设备和具有该浆料冷却设备的浆料供给系统,其能够在有效地冷却浆料的同时防止浆料被冷却水泄漏所污染,并且能够用肉眼来检查冷却水泄漏的存在。
根据本发明,提供了一种浆料供给系统,它包括:浆料混合单元,所述浆料混合单元构造成对浆料进行混合;浆料供给单元,在浆料混合单元中混合之后的浆料储存在所述浆料供给单元中,并且所述浆料供给单元构造成将浆料供给至抛光装置;管道,所述管道构造成连接浆料混合单元与浆料供给单元;以及浆料冷却单元,所述浆料冷却单元安装在构造成连接浆料供给单元与抛光装置的管道中的至少一个,以冷却混合浆料。
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