[发明专利]被动装置结构及其制造方法

权利要求书

1.一种被动装置结构，包括：

介电隔离层；

共形介电层，设于该介电隔离层上；

被动装置，包括半导体本体以及自该半导体本体延伸穿过该介电隔离层并穿过该共形介电层的多个鳍片；

第一导电接触，设于该多个鳍片及该共形介电层上，该第一导电接触与该多个鳍片连接并终止于该多个鳍片之间的该共形介电层；以及

层间介电层，位于该共形介电层上，

其中，该第一导电接触及该多个鳍片设置于在该层间介电层中所定义的开口中。

2.如权利要求1所述的被动装置结构，其中，该被动装置包括形成于该半导体本体中的阱以及位于该阱内的掺杂区，该阱具有第一导电类型，该掺杂区具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，该掺杂区与该阱沿p-n结邻接，该掺杂区设于该多个鳍片与该阱之间，且该多个鳍片与该掺杂区连接。

3.如权利要求2所述的被动装置结构，其中，该多个鳍片具有该第二导电类型。

4.如权利要求1所述的被动装置结构，其中，该共形介电层为氮化物材料，且该介电隔离层为氧化物材料。

5.如权利要求1所述的被动装置结构，其中，该共形介电层为低k介电材料，且该介电隔离层为氧化物材料。

6.如权利要求1所述的被动装置结构，其中，该共形介电层在靠近或接触该多个鳍片处具有第一厚度且在该多个鳍片的相邻对之间具有第二厚度。

7.如权利要求1所述的被动装置结构，还包括：

鳍式场效应晶体管装置，包括源/漏区；以及

第二导电接触，与该源/漏区连接。

8.如权利要求7所述的被动装置结构，其中，该鳍式场效应晶体管装置还包括多个鳍片以及形成于该多个鳍片上的多个凸起鳍片结构，该多个凸起鳍片结构定义该源/漏区。

9.一种制造被动装置的方法，该方法包括：

在位于与被动装置关联的多个第一鳍片之间的空隙中的介电隔离层上形成蚀刻停止层；

在该多个第一鳍片及该蚀刻停止层上沉积层间介电层；

蚀刻该层间介电层以形成第一开口，该第一开口暴露该多个第一鳍片并终止于该蚀刻停止层上；以及

在该第一开口中形成与该多个第一鳍片连接的第一导电接触。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该多个第一鳍片各者包括一个或多个侧壁，且形成该蚀刻停止层包括：

在该多个第一鳍片及该介电隔离层上沉积共形介电层；

形成掩蔽该多个第一鳍片之间的该空隙中的该共形介电层的部分的牺牲层；以及

选择性蚀刻该共形介电层，以自该多个第一鳍片的该一个或多个侧壁移除该共形介电层，

其中，该共形介电层的该部分形成该蚀刻停止层。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该共形介电层包括氮化物材料，且该层间介电层是具有与该氮化物材料不同的蚀刻选择性的氧化物材料。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该共形介电层包括低k介电材料，且该层间介电层是具有与该低k介电材料不同的蚀刻选择性的氧化物材料。

13.如权利要求10所述的方法，其中，该第一导电接触经设置以接触该多个第一鳍片的该一个或多个侧壁。

14.如权利要求10所述的方法，其中，形成该牺牲层包括：

在该共形介电层及该多个第一鳍片上沉积该牺牲层；以及

通过回蚀刻制程凹入该牺牲层于该多个第一鳍片之间的该空隙中。