[发明专利]一种灵敏度提升的光敏电阻

说明书

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种灵敏度提升的光敏电阻。该光敏电阻体包括陶瓷基体、光敏层和电极，其特征在于：按照质量百分比，所述陶瓷基体的组分包括：烧结助剂0.4‑0.8%，金属量子点复合物2.9‑3.3%，氯化镝0.05‑0.08%，氧化钐0.03‑0.05%，氯化镉0.2‑0.4%，余量为氧化铝。其中，烧结助剂中包括氧化镁、氧化钇和氯化镧，混合物中三者的质量比为8:2:1。金属量子点复合物由SnTe、InNP和ZnSe量子点制备获得，该光敏电阻采用聚二甲基硅氧烷封装胶进行封装。该方案通过对陶瓷基体的材料进行改进，降低了光敏电阻的亮电阻值，从而提升了光敏电阻的灵敏度。

技术领域

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种灵敏度提升的光敏电阻。

背景技术

光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换。光敏电阻器对光的敏感性与人眼对可见光的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。

光敏电阻常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法固化在绝缘衬底上，制作成很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，再接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。

光敏电阻的灵敏度是指光敏电阻器不受到光照时的电阻值（暗阻）和受到光照时电阻值（亮阻）的相对变化值。光敏电阻的暗阻和亮阻间阻值之比约通常为1500：1。某些精密仪器工作的场景对光敏电阻的敏感度的要求非常高，因此需要生产一些具有超高灵敏度的光敏电阻。

常规的光敏电阻由陶瓷基体、光敏层、芯片和电极等结构构成，陶瓷基体由氧化铝材料制成。为了提高光敏电阻的灵敏度，技术人员通常选择对光敏层的成分进行调整，例如人们通过在光敏层中添加二氯化铜材料来提高光敏电阻的暗电阻并降低其亮电阻，从而提高光敏电阻的灵敏度就是一种技术措施。

专利申请号CN201510647858.1提供的一种可见光光敏电阻及其制作方法，也是这样一种技术方案，但是这种调整达到的灵敏度的提升具有一定的局限性，当光敏层的组分改进达到一定程度后，将很难在光敏电阻的灵敏度提升上实现新的突破。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种灵敏度提升的光敏电阻，该技术方案通过对陶瓷基体的材料进行改进，提升了光敏电阻的灵敏度，拓展了光敏电阻的应用。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现的：

一种灵敏度提升的光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和电极；按照质量百分比，所述陶瓷基体的组分包括：烧结助剂0.4-0.8%，金属量子点复合物2.9-3.3%，氯化镝0.05-0.08%，氧化钐0.03-0.05%，氯化镉0.2-0.4%，余量为氧化铝。

优选地，按照质量百分比，陶瓷基体的组分包括：烧结助剂0.5-0.7%，金属量子点复合物2.9-3.2%，氯化镝0.06-0.07%，氧化钐0.03-0.04%，氯化镉0.2-0.3%，余量为氧化铝。

进一步优选地，按照质量百分比，陶瓷基体的组分包括：烧结助剂0.6%，金属量子点复合物3.1%，氯化镝0.06%，氧化钐0.04%，氯化镉0.3%，余量为氧化铝。