[发明专利]一种灵敏度提升的光敏电阻在审
| 申请号: | 201810676516.6 | 申请日: | 2018-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN108892484A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 程劲松 | 申请(专利权)人: | 合肥尚强电气科技有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/63;C04B41/89;H01L31/0203;H01L31/09 |
| 代理公司: | 合肥道正企智知识产权代理有限公司 34130 | 代理人: | 张浩 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市经济技术开*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光敏电阻 陶瓷基体 量子点 灵敏度提升 烧结助剂 复合物 聚二甲基硅氧烷 半导体材料 质量百分比 金属 混合物 灵敏度 电极 封装胶 光敏层 氯化镉 氯化镝 氯化镧 氧化铝 氧化镁 氧化钇 氧化钐 质量比 电阻 制备 封装 改进 | ||
1.一种灵敏度提升的光敏电阻,包括陶瓷基体、光敏层和电极,其特征在于:按照质量百分比,所述陶瓷基体的组分包括:烧结助剂0.4-0.8%,金属量子点复合物2.9-3.3%,氯化镝0.05-0.08%,氧化钐0.03-0.05%,氯化镉0.2-0.4%,余量为氧化铝。
2.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:按照质量百分比,所述陶瓷基体的组分包括:烧结助剂0.5-0.7%,金属量子点复合物2.9-3.2%,氯化镝0.06-0.07%,氧化钐0.03-0.04%,氯化镉0.2-0.3%,余量为氧化铝。
3.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:按照质量百分比,所述陶瓷基体的组分包括:烧结助剂0.6%,金属量子点复合物3.1%,氯化镝0.06%,氧化钐0.04%,氯化镉0.3%,余量为氧化铝。
4.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述烧结助剂中包括氧化镁、氧化钇和氯化镧,混合物中三者的质量比为8:2:1。
5.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述金属量子点复合物的制备方法为:
(1)按照质量份数,将2份醋酸铟,6份十二烷酸、80份十八碳烯加入到真空反应釜中,以115-118℃的温度保温反应1-1.2h,然后向反应釜内充入氮气气氛保护,并加入2.5份三(三甲基甲硅烷基)膦和6份三辛基膦,以182-188℃的温度保温反应25-30min,反应结束后冷却至室温,过滤,用足量的无水乙醇清洗,并离心、干燥得到沉淀物A;
(2)将3份乙酸锌,6份油酸和100份丙基胺加入到真空反应釜中,以115-120℃的温度反应15-20min,然后充入氮气气氛保护,并加入3份三辛基膦和10份量子点,以185-193℃的温度继续反应15-20min,然后将产物冷却至室温,过滤用足量无水乙醇清洗,并离心、干燥得到沉淀物B;
(3)将沉淀物A和沉淀物B混合加入到160份氯仿中分散均匀,然后向分散系中加入14份苯乙烯-马来酸酐共聚物和8份六亚甲基二胺,在62-65℃的温度下混合搅拌1.5-2h,并超声波处理15-18min,产物过滤后将沉淀物用足量无水乙醇清洗,干燥后得到所需金属量子点复合物。
6.根据权利要求5所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述量子点为SnTe、InNP和ZnSe按照4:2:1的质量比混合的混合物。
7.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述陶瓷基体组分中氧化铝选择粒径为20-30nm的α型氧化铝微粉。
8.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述陶瓷基体的烧结温度为1650-1680℃,烧结时采用氦气或氩气对烧结体进行保护。
9.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述光敏层位于陶瓷基体表层,光敏层材料由硫化镉、硒化镉和氯化镉按照12:5:3的质量比组合而成,光敏层通过500-650℃的温度烧结固化后获得,烧结后的光敏层厚度为3-5μm。
10.根据权利要求1所述的一种灵敏度提升的光敏电阻,其特征在于:所述光敏电阻采用聚二甲基硅氧烷封装胶进行封装。
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