[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和电子阻挡层；

对所述电子阻挡层的表面进行质子辐射，所述质子辐射通过离位损伤产生空位和间隙原子，形成弗伦克尔缺陷，降低所述电子阻挡层的电阻率，提高所述电子阻挡层的载流子迁移率；质子辐射的辐射剂量为10¹⁵ions/cm²~10¹⁸ions/cm²，质子辐射的辐射能量为4.5MeV~6MeV；

采用化学气相沉积技术在所述电子阻挡层上生长P型半导体层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，质子辐射时所述电子阻挡层所处环境的压力为10^-4Torr~10^-2Torr。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，质子辐射时所述电子阻挡层所处环境的温度为20℃~80℃。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述电子阻挡层的表面进行质子辐射，降低所述电子阻挡层的电阻率，包括：

利用质子加速器提供的质子束轰击所述电子阻挡层的表面。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述质子束的电流强度为150nA~250nA。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述质子束的直径为2.5cm~5.5cm。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，轰击的时长为40min~80min。

8.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子阻挡层层叠有所述P型半导体层的表面为经过质子辐射处理的表面，所述质子辐射通过离位损伤产生空位和间隙原子，形成弗伦克尔缺陷，降低所述电子阻挡层的电阻率，提高所述电子阻挡层的载流子迁移率；质子辐射的辐射剂量为10¹⁵ions/cm²~10¹⁸ions/cm²，质子辐射的辐射能量为4.5MeV~6MeV。