[发明专利]形成电容掩模的方法

说明书

本发明公开一种形成电容掩模的方法，包含有下述步骤。首先，形成一块状牺牲图案以及多个长条状牺牲图案于一掩模层上。接着，形成间隙壁于块状牺牲图案以及此些长条状牺牲图案的侧壁。接续，移除此些长条状牺牲图案但保留块状牺牲图案。续之，填入一材料于此些间隙壁之间以及块状牺牲图案上，其中材料具有一平坦顶面。然后，在填入材料之后，形成一图案化光致抗蚀剂，覆盖块状牺牲图案以及此些间隙壁的一部分，但暴露出此些间隙壁的另一部分。

技术领域

本发明涉及一种形成电容掩模的方法，且特别是涉及一种以牺牲图案形成动态随机存取存储器的电容掩模的方法。

背景技术

随机存取存储器(RAM：Random Access Memory)使用时可以读取数据也可以写入数据，当电源关闭以后数据立刻消失。由于随机存取存储器的数据更改容易，所以一般应用在个人计算机作为暂时存储数据的存储器。随机存取存储器又可以细分为「动态(Dynamic)」与「静态(Static)」两种。其中，「动态随机存取存储器(DRAM：Dynamic RAM)」是以1个晶体管加上1个电容来存储1个位(1bit)的数据，而且使用时必须要周期性地补充电源来保持存储的内容，故称为「动态(Dynamic)」。动态随机存取存储器构造较简单(1个晶体管加上1个电容来存储1个位的数据)使得存取速度较慢(电容充电放电需要较长的时间)，但是成本也较低，因此一般都制作成对容量要求较高但是对速度要求较低的存储器，例如：个人计算机主机板上通常使用的主存储器(main memory)。

发明内容

本发明提出一种形成电容掩模的方法，其形成牺牲图案于掩模层上方，以防止掩模层在图案化成电容掩模时受损。

本发明提供一种形成电容掩模的方法，包含有下述步骤。首先，形成一块状牺牲图案以及多个长条状牺牲图案于一掩模层上。接着，形成间隙壁于块状牺牲图案以及此些长条状牺牲图案的侧壁。接续，移除此些长条状牺牲图案但保留块状牺牲图案。续之，填入一材料于此些间隙壁之间以及块状牺牲图案上，其中材料具有一平坦顶面。然后，在填入材料之后，形成一图案化光致抗蚀剂，覆盖块状牺牲图案以及此些间隙壁的一部分，但暴露出此些间隙壁的另一部分。

基于上述，本发明提出一种形成电容掩模的方法，其在一掩模层上形成一块状牺牲图案以及多个长条状牺牲图案，形成间隙壁于块状牺牲图案以及此些长条状牺牲图案的侧壁，之后移除此些长条状牺牲图案但保留块状牺牲图案。如此一来，本发明不需要额外制作工艺，即可在蚀刻暴露出的掩模层而图案化形成掩模时，避免块状牺牲图案下方的掩模层受损。

再者，本发明在移除此些长条状牺牲图案但保留块状牺牲图案之后，填入一材料于此些间隙壁之间以及块状牺牲图案上，之后才形成一图案化光致抗蚀剂覆盖部分材料，因而可避免图案化光致抗蚀剂残留于间隙壁之间。

附图说明

图1为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图2为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图3为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图4为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图5为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图6为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图7为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图8为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图；

图9为本发明优选实施例中形成电容掩模的方法的剖面示意图。

主要元件符号说明

10、20：图案化的光致抗蚀剂