[发明专利]形成电容掩模的方法

权利要求书

1.一种形成电容掩模的方法，其特征在于，包含有：

形成一块状牺牲图案以及多个长条状牺牲图案于一掩模层上；

形成间隙壁于该块状牺牲图案以及该些长条状牺牲图案的侧壁；

移除该些长条状牺牲图案但保留该块状牺牲图案；

填入一材料于该些间隙壁之间以及该块状牺牲图案上，其中该材料具有一平坦顶面；以及

在填入该材料之后，形成一图案化光致抗蚀剂，覆盖该块状牺牲图案以及该些间隙壁的一部分，但暴露出该些间隙壁的另一部分,

其中所述方法还包含：

形成多个盖层于该块状牺牲图案以及该些长条状牺牲图案上。

2.如权利要求1所述的形成电容掩模的方法，其中该块状牺牲图案以及该些长条状牺牲图案构成一图案化的有机介电层。

3.如权利要求1所述的形成电容掩模的方法，其中该些盖层包含介电抗反射涂层。

4.如权利要求1所述的形成电容掩模的方法，其中形成该些间隙壁于该块状牺牲图案以及该些长条状牺牲图案的侧壁的方法，包含：

沉积一间隙壁材料顺应覆盖该块状牺牲图案、该些长条状牺牲图案以及该掩模层；以及

图案化该间隙壁材料以形成该些间隙壁。

5.如权利要求4所述的形成电容掩模的方法，其中在图案化该间隙壁材料以形成该些间隙壁之后，移除位于该些长条状牺牲图案上的该些盖层但保留该块状牺牲图案上的该盖层。

6.如权利要求5所述的形成电容掩模的方法，在移除该些长条状牺牲图案之后，还包含：

移除该块状牺牲图案上的该盖层。

7.如权利要求6所述的形成电容掩模的方法，在移除该块状牺牲图案上的该盖层之后，还包含：

回蚀刻该块状牺牲图案。

8.如权利要求1所述的形成电容掩模的方法，在形成该图案化光致抗蚀剂之后，还包含：

移除该图案化光致抗蚀剂暴露出的该材料的一部分，因而暴露出该掩模层的一部分；以及

移除该图案化光致抗蚀剂。

9.如权利要求8所述的形成电容掩模的方法，在移除该图案化光致抗蚀剂暴露出的该材料的该部分之后，还包含：

移除暴露出的该掩模层的该部分。

10.如权利要求1所述的形成电容掩模的方法，其中该掩模层包含由下至上堆叠的多晶硅层、氮化硅层、有机介电层以及介电抗反射涂层。

11.如权利要求1所述的形成电容掩模的方法，其中该块状牺牲图案直接接触该些间隙壁的其中之一。