[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201810588352.1 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108520895B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 王培筠;薛芷苓;陈佳楷 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
一种显示面板包括基底、像素阵列、复合绝缘层与封装层。基底具有显示区与外围区,像素阵列位于基底上且位于显示区内,像素阵列包括多个薄膜晶体管、多个电激发光元件与像素定义层。多个电激发光元件分别电性连接对应的薄膜晶体管的漏极,像素定义层位于薄膜晶体管上。复合绝缘层位于基底上且位于外围区,复合绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层,第二绝缘层位于第一绝缘层与基底之间,沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。封装层位于像素阵列与复合绝缘层上,封装层与沟槽重叠。
技术领域
本发明涉及一种具有电子元件的基板,且特别涉及一种显示面板。
背景技术
在现在的显示面板的制作程序中,基底会作为显示面板的底层。完成后的显示面板可划分为显示区与围绕着显示区的外围区,而由于基底是作为显示面板的底层,则基底也可划分为对应的显示区与外围区。在显示面板的制程中,多层的结构如金属线路、绝缘层与电子元件等,会在垂直于基底的垂直方向上依序成形在所述基底上,多层绝缘层位于外围区的部分会在所述垂直方向上被刀具加以切割,以去除多余的部分而形成所述显示面板。
发明内容
在现有显示面板的制作程序中,所述外围区会被刀具加以切割,然而,刀具在切割时所产生的应力可能会导致切割处产生裂痕,裂痕便因为显示面板的挠曲或形变而向显示区的方向延伸,裂痕延伸的愈长,就愈有可能延伸至金属线路或电子元件而造成其破损或断裂,从而降低显示面板的生产良率。现有显示面板的外围区的多层绝缘层,多半是采用无机材料,相较于有机材料,无机材料的机械性质较为硬且脆,因此一旦外围区的切割处产生裂痕,此裂痕很容易延伸到显示区中并破坏电性元件。
本发明的至少一实施例提出一种显示面板,以避免外围区在被切割时产生裂痕。
本发明的至少一实施例提出一种显示面板,即使外围区在被切割时产生了裂痕,也能阻止外围区的裂痕往显示区的方向延伸,以避免显示面板的电性元件被裂痕破坏。
本发明的至少一实施例提出一种显示面板包括基底、像素阵列、复合绝缘层与封装层。基底具有显示区与外围区,外围区实质上围绕显示区。像素阵列位于基底上且位于显示区内,像素阵列包括多个薄膜晶体管、多个电激发光元件与像素定义层。各薄膜晶体管包括主动层、闸绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极与漏极。闸绝缘层位于主动层上,栅极位于闸绝缘层上,层间绝缘层位于栅极上,源极与漏极位于层间绝缘层上且分别通过多个第一接触洞而电性连接主动层,所述第一接触洞贯穿层间绝缘层与闸绝缘层。多个电激发光元件分别电性连接对应的薄膜晶体管的漏极,像素定义层位于层间绝缘层上。复合绝缘层位于基底上且位于外围区,复合绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层。第一绝缘层与层间绝缘层由同一材料层形成且直接连接,第二绝缘层位于第一绝缘层与基底之间,第二绝缘层与闸绝缘层由同一材料层形成且直接连接,且其中至少一沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。封装层位于像素阵列与复合绝缘层上,封装层与至少一沟槽重叠。
综上所述,根据本发明所提出的显示面板的诸多实施例,其可降低外围区在被切割时产生裂痕的可能,且即使有裂痕产生,也可使裂痕无法延伸至显示区,从而可避免显示面板的电性元件因为裂痕而破损或断裂。
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点,其内容足以使任何本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施,且根据本说明书所公开的内容、申请专利范围及附图,任何熟习相关技艺者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。
附图说明
图1为本发明第一实施例的显示面板的上视图;
图2为图1的显示面板于线段2-2处的剖视图;
图3为本发明第二实施例的显示面板的剖视图;
图4为本发明第三实施例的显示面板的剖视图;
图5为图4的显示面板的上视图;
图6为本发明第四实施例的显示面板的上视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的