[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201810588352.1 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108520895B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 王培筠;薛芷苓;陈佳楷 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,包括:
一基底,具有一显示区与一外围区,该外围区实质上围绕该显示区;
一像素阵列,位于该基底上且位于该显示区内,该像素阵列包括:
多个薄膜晶体管,各该薄膜晶体管包括:
一主动层;
一闸绝缘层,位于该主动层上;
一栅极,位于该闸绝缘层上;
一层间绝缘层,位于该栅极上;以及
一源极与一漏极,位于该层间绝缘层上且分别通过多个第一接触洞而电性连接该主动层,所述第一接触洞贯穿该层间绝缘层与该闸绝缘层;
多个电激发光元件,分别电性连接对应的该薄膜晶体管的该漏极;以及
一像素定义层,位于该层间绝缘层上;
一复合绝缘层,位于该基底上且位于该外围区,该复合绝缘层包括:
一第一绝缘层,与该层间绝缘层由同一材料层形成;以及
一第二绝缘层,位于该第一绝缘层与该基底之间,该第二绝缘层与该闸绝缘层由同一材料层形成,其中至少一沟槽贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层;
一封装层,位于该像素阵列与该复合绝缘层上,该封装层与该至少一沟槽重叠,其中,该封装层包括一第一无机薄膜封装层、一有机薄膜封装层与一第二无机薄膜封装层,该第一无机薄膜封装层位于该像素阵列与该复合绝缘层上,该有机薄膜封装层位于该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层之间,且该有机薄膜封装层延伸到该至少一沟槽中而该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层并不延伸到该至少一沟槽中;以及
至少一挡墙,位于该第一绝缘层上,其中,该至少一沟槽位于该至少一挡墙以及该像素阵列之间,其中该封装层接触该至少一挡墙,该至少一挡墙位于该至少一沟槽以及该像素阵列的外侧。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中,该像素阵列还包括一缓冲层位于该基底与该主动层之间,该复合绝缘层还包括一第三绝缘层位于该基底与该第二绝缘层之间,该第三绝缘层与该缓冲层由同一材料层形成。
3.如权利要求2所述的显示面板,其中,该至少一沟槽更贯穿该第三绝缘层。
4.如权利要求3所述的显示面板,其中,该至少一沟槽包括一第一沟槽与一第二沟槽,该第二沟槽位在该第一沟槽与该像素阵列之间。
5.如权利要求2所述的显示面板,其中,该至少一沟槽包括一第一沟槽与一第二沟槽,该第二沟槽位在该第一沟槽与该像素阵列之间。
6.如权利要求1至5中任一所述的显示面板,其中,各该电激发光元件包括:
一下电极,位于该层间绝缘层与该像素定义层之间;
一上电极;以及
一发光层,位于贯穿该像素定义层的一开口中且位于该下电极以及该上电极之间,
其中,该像素阵列还包括一平坦层位于该层间绝缘层与该像素定义层之间,该平坦层具有多个第二接触洞,
其中,所述电激发光元件的该下电极分别通过所述第二接触洞电性连接至对应的该薄膜晶体管的该漏极。
7.如权利要求1所述的显示面板,其中,该至少一挡墙与该像素定义层由同一材料层形成,其中,(1)该第一无机薄膜封装层覆盖该至少一挡墙;或(2)该第二无机薄膜封装层覆盖该至少一挡墙;或(3)该第一无机薄膜封装层及该第二无机薄膜封装层共同覆盖该至少一挡墙;其中该有机薄膜封装层位于该至少一挡墙的内侧而不接触该至少一挡墙且不延伸至该至少一挡墙的外侧。
8.如权利要求1所述的显示面板,其中,该复合绝缘层还包括一有机绝缘填料,该有机绝缘填料位于该至少一沟槽内。
9.如权利要求8所述的显示面板,其中,该有机绝缘填料与该像素定义层由同一材料层形成。
10.如权利要求1所述的显示面板,其中,该有机薄膜封装层的一部分填入该至少一沟槽内。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中,该第一无机薄膜封装层的一部分与该有机薄膜封装层的一部分填入该至少一沟槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的