[发明专利]金属氧化物层的形成有效
| 申请号： | 201810579777.6 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109003881B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 拉马·I·赫格德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 形成 | ||
1.一种方法，其特征在于，包括：
在晶片上形成金属卤氧化物层；
在所述形成之后，对所述晶片进行退火以从所述层移除卤素；
从所述晶片形成半导体装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括铪且所述层包括铪。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括锆。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括镧。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括氯且所述退火包括从所述层移除氯。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括溴且所述退火包括从所述层移除溴。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括碘且所述退火包括从所述层移除碘。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体装置被表征为晶体管且所述层的部分被表征为所述晶体管的栅极介电层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层在所述退火之后包括锆酸铪。
10.一种方法，其特征在于，包括：
在腔室中的晶片上形成金属卤氧化物层，所述形成层包括多次执行操作序列，所述操作序列包括：
使呈气态形式的金属卤氧化物材料流动到具有所述晶片的所述腔室中，以将金属卤氧化物沉积在所述晶片上；
在所述流动之后，使用惰性气体吹扫所述腔室；
在所述形成所述层之后，对所述晶片进行退火以从所述层移除卤素，其中在所述退火之后，所述层包括金属氧化物；
使用包括所述金属氧化物的所述层形成半导体装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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