[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

说明书

公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。该单元阵列区域包括多个电极结构和多个垂直结构，该多个电极结构包括依次堆叠在体导电层上的多个电极，该多个垂直结构穿透电极结构并且连接到体导电层。外围电路区域包括剩余基板和在剩余基板上的外围晶体管。剩余基板具有比体导电层的顶表面高的顶表面。

技术领域

发明构思涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种三维非易失性存储器件及其制造方法。

背景技术

提高半导体器件的集成可以改善性能、降低制造成本并降低产品的价格。典型的二维存储器件的集成主要由单位存储单元占据的面积决定，从而其受到用于形成精细图案的技术水平的很大影响。然而，提高图案精细度所需的非常昂贵的处理设备对提高二维存储器件的集成设置了实际的限制。

发明内容

发明构思的一些实施方式提供了一种制造半导体存储器件的简化方法。

发明构思的一些实施方式提供了一种其厚度减小的半导体存储器件。

根据一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括单元阵列区域和外围电路区域。单元阵列区域可以包括：多个电极结构，包括依次堆叠在体导电层(body conductivelayer)上的多个电极；以及多个垂直结构，穿透电极结构并且连接到体导电层。外围电路区域可以包括：剩余基板；以及在剩余基板上的外围晶体管。剩余基板可以具有比体导电层的顶表面高的顶表面。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：多个电极结构，包括依次堆叠在体导电层上的多个电极；多个垂直结构，穿透电极结构并且连接到体导电层；以及公共导电线，在电极结构之间延伸并且连接到体导电层。体导电层可以包括多晶半导体材料。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种制造半导体存储器件的方法可以包括：在半导体基板上形成电极结构和插入到半导体基板的上部分中的垂直结构，每个垂直结构包括数据存储层和沟道半导体层；去除半导体基板的至少一部分；以及形成公共地连接到垂直结构的下部分的体导电层。当去除半导体基板的所述至少一部分时，数据存储层的一部分可以被同时去除以暴露沟道半导体层。

附图说明

图1示出简化电路图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的半导体存储器件的单元阵列。

图2A示出平面图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的半导体存储器件。

图2B示出沿着图2A的线I-I'截取的截面图。

图3A和图3B示出放大图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的图2B的部分A。

图4至图11示出沿着图2A的线I-I'截取的截面图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的制造半导体存储器件的方法。

图12至图19示出沿着图2A的线I-I'截取的截面图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的半导体存储器件。

图20至图22示出沿着图2A的线I-I'截取的截面图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的制造半导体存储器件的方法。

图23至图24示出截面图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的制造半导体存储器件的方法。

图25示出截面图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装。

具体实施方式

下面将结合附图详细描述发明构思的一些示例实施方式。

图1示出简化电路图，其示出根据发明构思的一些示例实施方式的半导体存储器件的单元阵列。