[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

单元阵列区域，连接到外围电路区域，

所述单元阵列区域包括在体导电层上的多个电极结构和多个垂直结构，所述多个电极结构每个包括依次层叠在所述体导电层上的多个电极，所述多个垂直结构穿透所述多个电极结构并且连接到所述体导电层，

所述外围电路区域包括在剩余基板上的外围晶体管，并且

所述剩余基板的顶表面高于所述体导电层的顶表面。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述体导电层在所述剩余基板下面延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述体导电层的厚度小于所述剩余基板的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述体导电层包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述多个垂直结构的每个包括沟道半导体层和数据存储层，并且

所述体导电层连接到所述沟道半导体层。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述沟道半导体层的底表面在与所述数据存储层的底表面相同的水平面处。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

蚀刻停止层，在所述多个电极结构与所述体导电层之间，

其中所述多个垂直结构穿透所述蚀刻停止层。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

公共源极导电线，在所述多个电极结构之间延伸，其中所述公共源极导电线连接到所述体导电层。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述体导电层包括多晶半导体层和金属层，并且

所述金属层隔着所述多晶半导体层而与所述多个垂直结构间隔开。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

多个绝缘图案，位于所述体导电层中并穿透所述体导电层。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

绝缘图案，在所述剩余基板下面使得所述剩余基板在所述绝缘图案上，

其中所述体导电层局部地提供在所述单元阵列区域中。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在所述单元阵列区域上，所述剩余基板在所述体导电层与所述多个电极结构之间延伸。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中所述剩余基板在所述外围电路区域上比在所述单元阵列区域上厚。

14.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述体导电层在所述剩余基板下面延伸，并且所述体导电层在所述单元阵列区域上具有比在所述外围电路区域上高的杂质浓度。

15.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述体导电层包括第一半导体层和第二半导体层，

所述第一半导体层与所述多个垂直结构相邻，

所述第二半导体层隔着所述第一半导体层而与所述多个垂直结构间隔开，

所述第一半导体层具有比所述第二半导体层的杂质浓度高的杂质浓度。

16.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述剩余基板延伸到所述单元阵列区域上，所述剩余基板接触所述单元阵列区域上的所述体导电层，并且

与所述单元阵列区域上的所述体导电层接触的所述剩余基板包括其掺杂浓度大于所述体导电层的掺杂浓度的杂质区域。