[发明专利]使用顺序沉积-蚀刻-处理加工的氧化硅和氮化硅的自底向上生长

权利要求书

1.一种间隙填充方法，包括：

提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有形成在其中的多个特征，每个特征从所述基板表面延伸一定距离并且具有底部和至少一个侧壁；

将第一膜沉积在所述至少一个特征中，使得所述第一膜在所述特征的所述底部上以及所述特征的所述侧壁的仅上部部分上形成；

从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜；和

处理所述特征的所述底部中的所述第一膜以在所述特征中形成第二膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜包含硅。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二膜包含氧化硅、氮化硅或氧氮化硅中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的方法，其中沉积所述第一膜包括将所述基板表面暴露于硅前驱物和反应物。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述硅前驱物包括甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷、更高价硅烷或二氯硅烷中的一种或多种，其中，所述更高价硅烷是具有经验式Si_nH_2n+2的硅烷化合物，其中n大于或等于5。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述反应物包括氢或氮中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述反应物包含等离子体。

8.如权利要求3所述的方法，其中从所述侧壁蚀刻所述第一膜包括将所述基板暴露于H₂、HCl或Cl₂中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的方法，其中蚀刻所述第一膜包括等离子体。

10.如权利要求3所述的方法，其中处理所述第一膜包括将所述第一膜暴露于O₂、N₂O、O₃或H₂O中的一种或多种以形成包含氧化硅的所述第二膜。

11.如权利要求10所述的方法，其中处理所述第一膜包括将所述第一膜暴露于等离子体。

12.如权利要求3所述的方法，其中处理所述第一膜包括将所述第一膜暴露于NH₃、N₂中的一种或多种以形成包含氮化硅的所述第二膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中处理所述第一膜包括将所述第一膜暴露于等离子体。

14.如权利要求1所述的方法，其中在沉积、蚀刻和处理期间的工艺温度在100℃至500℃的范围内。

15.如权利要求1所述的方法，还包括重复所述沉积、蚀刻和处理以用所述第二膜来填充所述特征。

16.如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻之前将所述第一膜沉积达在0.01nm至10nm的范围内的厚度。

17.一种间隙填充方法，包括：

提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有形成在其中的多个特征，每个特征从所述基板表面延伸一定距离并且具有底部和至少一个侧壁；

将包含硅的第一膜沉积在所述至少一个特征中，使得所述第一膜在所述特征的所述底部上以及所述特征的所述侧壁的仅上部部分上形成；

从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜；和

处理所述特征的所述底部中的所述第一膜以在所述特征中形成第二膜，所述第二膜包含氧化硅、氮化硅或氧氮化硅中的一种或多种。