[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。通过本发明的技术方案，能够增强OLED显示基板阻隔外界水氧的能力，提高OLED显示基板的使用寿命，同时又能保证OLED显示基板充足的光线透过率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)是OLED器件的重要研究方向。OLED中的发光材料一般为高分子聚合物或有机小分子化合物，阴极材料一般为功函数较低的金属材料如镁、铝等。这些发光材料与阴极材料对水汽和氧气非常敏感，如果水分子与氧分子持续侵入OLED器件，有机层(包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)会被降解，阴极会被氧化，从而降低OLED器件的使用寿命。因此，OLED显示基板采用的封装技术对阻绝水分子与氧分子的侵入是十分重要的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够增强OLED显示基板阻隔外界水氧的能力，提高OLED显示基板的使用寿命，同时又能保证OLED显示基板充足的光线透过率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。

进一步地，所述氟掺杂类金刚石层中，氟元素的含量小于10wt％。

进一步地，所述氟掺杂类金刚石层的厚度为10nm～100nm。

进一步地，每一所述封装单元还包括限定结构，每一所述封装单元的所述有机层及所述氟掺杂类金刚石层位于所述限定结构限定出的区域内。

进一步地，所述限定结构的材料采用类金刚石、石墨烯、银、铝、氮化铝及铜中的一种或多种。

进一步地，在所述OLED显示基板包括至少两个所述封装单元时，从靠近OLED器件到远离OLED器件的方向上，上一封装单元的所述限定结构位于下一封装单元的所述限定结构限定出的区域内。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。

本发明实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，形成所述封装单元包括：

依次形成无机层、氟掺杂类金刚石层和有机层。

进一步地，形成所述封装单元还包括：

形成限定结构；

形成所述氟掺杂类金刚石层和所述有机层包括：

在所述限定结构限定出的区域内形成所述氟掺杂类金刚石层和所述有机层。

进一步地，形成所述封装单元具体包括：

形成无机层；

在所述无机层上形成感光材料层；

对所述感光材料层进行曝光，显影后形成感光材料保留区域和感光材料去除区域，所述感光材料去除区域对应所述限定结构的形成区域；

沉积限定结构材料层，所述限定结构材料层的厚度小于所述感光材料层的厚度；