[发明专利]一种AMOLED薄膜封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201810549801.1 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108878676A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 曹绪文 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷层 第一膜层 侧端 膜层 薄膜封装结构 触控电极层 台阶部 内凹 产品性能 单层结构 空间位置 有机物层 侧端部 上下膜 良率 向内 薄膜 断裂 收缩 制造 保证 | ||
本发明提供了一种AMOLED薄膜封装结构,其上用于设置触控电极层,包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层。其中所述第二陶瓷层包括第一膜层和第二膜层,所述第二膜层位于所述第一膜层上,且其侧端向内收缩进而在所述第二膜层和第一膜层的侧端处形成一个内凹的第一台阶部。本发明将现有的第二陶瓷层的厚单层结构设计改为多薄膜层叠加结构设计,并在上下膜层侧端处设置内凹的台阶部,从而可以有效的降低第二陶瓷层的侧端部对触控电极层引线的影响,使其有较大的空间位置放置,从而使其不易断裂,进而保证了良率以及产品性能。
技术领域
本发明涉及AMOLED技术领域,尤其是,其中的一种AMOLED薄膜封装结构及其制造方法。
背景技术
已知,随着科学技术的不断进步,成像显示技术也相应的获得了极大的进步。从最初的CRT显示器开始,显示器技术开始了飞速的向前发展,不仅是在显示器本身的体积、重量上,而且在显示原理上也有了很大的不同。
以当前的情况来讲,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)已经取代CRT显示器成为业界的主流应用。但是,虽然LCD显示器具有重量轻、显示效果好等优点,但其还是有一些缺陷。例如,在显示视角、、刷新率、体积以及功耗方面依然存在更进一步的空间。
对此,业界则更进一步的开发出了OLED,以及在OLED的基础上开发出了AMOLED,这种下世代的显示技术。
其中AMOLED由于具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示器件。而目前AMOLED技术正向柔性、薄膜封装和集成触摸功能发展。
以薄膜封装为例,请参阅图2所示,业界常见的AMOLED薄膜封装结构通常是三层结构:一陶瓷层410、一有机物420层再加一陶瓷层430。其中第一陶瓷层410的厚度在10~100nm范围,第二陶瓷层430的厚度在500~2000nm范围,这样才能达到封装所需要的防水防氧效果。
由于集成触控功能屏还要在所述薄膜封装结构上制作触控层结构510、520和530,其中因触控电极层510要通过所述第二陶瓷层430的边界引线到IC绑定区,如图3所示,若是第二陶瓷层430太厚,则过线容易造成510断裂,从而降低良率,影响产品性能。
因此,确有必要开发一种新型的AMOLED薄膜封装结构,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED薄膜封装结构,其能够有效解决现有薄膜封装结构中存在的触控电极层的过线问题,从而提高其上集成的触摸屏性能,进而提升产品性能。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种AMOLED薄膜封装结构,其上用于设置触控电极层,包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层。其中所述第二陶瓷层包括第一膜层和第二膜层。其中所述第二膜层位于所述第一膜层上,且其侧端向内收缩进而使得所述第二膜层和第一膜层的侧端处形成有一个内凹的第一台阶部
本发明将现有的第二陶瓷层的厚单层结构设计改为双薄膜层结构设计,并在两膜层的侧端处设置内凹的台阶部,从而可以有效的降低第二陶瓷层的侧端部对触控电极层引线部的影响,使其有较大的空间位置放置,从而使其不易断裂,进而保证了良率以及产品性能。
进一步的,其中所述第二陶瓷层并不限于采用2膜层结构,在不同实施方式中,其可以采用多膜层结构设计。例如,其具体可以是3膜层结构、4膜层结构、5膜层结构、6膜层结构等等,具体可随需要而定,并无限定。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述第二陶瓷层采用的多膜层结构中,其包括的这些膜层优选采用相同厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择