[发明专利]一种AMOLED薄膜封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810549801.1 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108878676A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曹绪文 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷层 第一膜层 侧端 膜层 薄膜封装结构 触控电极层 台阶部 内凹 产品性能 单层结构 空间位置 有机物层 侧端部 上下膜 良率 向内 薄膜 断裂 收缩 制造 保证 | ||
1.一种AMOLED薄膜封装结构，其上用于设置触控电极层，包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层；其特征在于，其中所述第二陶瓷层包括第一膜层和第二膜层；
其中所述第二膜层位于所述第一膜层上，且其侧端向内收缩进而使得所述第二膜层和第一膜层的侧端处形成有一个内凹的第一台阶部。
2.根据权利要求1所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第一膜层和第二膜层的厚度相等。
3.根据权利要求1所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第二膜层上还设置有第三膜层，所述第三膜层和第二膜层的侧端处设置有内凹的第二台阶部。
4.根据权利要求3所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第一台阶部比第二台阶部扩大30～80um。
5.根据权利要求3所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第三膜层上还设置有第四膜层，所述第四膜层和第三膜层的侧端处设置有内凹的第三台阶部。
6.根据权利要求5所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第二台阶部比第三台阶部扩大30～80um。
7.根据权利要求5所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第四膜层上还设置有第五膜层，所述第五膜层和第四膜层的侧端处设置有内凹的第四台阶部。
8.根据权利要求7所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第三台阶部比第四台阶部扩大30～80um。
9.根据权利要求7所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层和第五膜层厚度一致；且其中所述第一膜层的厚度小于所述触控电极层400～200nm。
10.一种用于制造权利要求1所述的一种AMOLED薄膜封装结构的制造方法，其特征在于，其中在设计所述薄膜封装结构第二陶瓷层的CVD萌罩时，所述萌罩采用至少二层结构，并且在两层的上层侧端处设置一内凹的台阶部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
