[发明专利]存储器装置的编程方法

说明书

存储器装置的编程方法包括：以一编程电压与一编程码来编程一目标存储器单元；施加一第一验证电压与一第二验证电压于该目标存储器单元，并得到一第一读取数据与一第二读取数据；以及根据该编程码、该第一读取数据与该第二读取数据来判断该目标存储器单元是否通过一真正编程验证及/或一虚拟编程验证。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置的编程方法。

背景技术

闪存是非易失性存储器装置的一种。施加编程电压脉冲至存储器单元，可将数据存储至存储器单元内。

为让存储器单元的阈值电压分布紧缩，在增阶脉冲编程(Incremental StepPulse Programming，ISPP)过程中，可执行一个编程(program)步骤与一个或多个验证(verify)步骤，其中，各编程脉冲可增加存储器单元的阈值电压。而且，在ISPP的各编程脉冲之间，更可以施加编程验证(program verify，PV)脉冲，以验证存储器单元的阈值电压是否超过验证电压，以检查是否编程成功。藉此，ISPP可用于达成阈值电压分布紧缩。

此外，闪存可能具有时间相关漂移(time dependent relaxation)特性。此特性使得存储器单元的阈值电压有可能向下或向上漂移，导致该存储器单元的阈值电压变得无法通过验证且使得阈值电压分布较为宽广。

故而，需要有一种存储器装置的编程方法可紧缩存储器单元的阈值电压分布。

发明内容

本案一实例提出一种存储器装置的编程方法，包括：以一编程电压与一编程码来编程一目标存储器单元；施加一第一验证电压与一第二验证电压于该目标存储器单元，并得到一第一读取数据与一第二读取数据；以及根据该编程码、该第一读取数据与该第二读取数据来判断该目标存储器单元是否通过一真正编程验证及/或一虚拟编程验证。

本案另一实例提出一种存储器装置的编程方法，包括：执行一编程操作与一编程-验证操作于一目标存储器单元，该编程操作与该编程-验证操作包括：施加多个编程电压、多个第一验证电压与多个第二验证电压于该目标存储器单元，其中，各该些第一验证电压与各该些第二验证电压之间的一电压差有关于一时间相关漂移特性；以及决定该目标存储器单元的一阈值电压是否超过各该些第一验证电压及/或各该些第二验证电压，以决定该目标存储器单元是否被编程成功。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：

附图说明

图1显示根据本案第一实施例的存储器装置的编程方法流程图。

图2显示根据本案第一实施例的编程顺序的示意图。

图3显示SLC存储器单元的阈值电压分布图。

图4显示根据本案第二实施例的存储器装置的编程方法流程图。

图5显示根据本案第二实施例的编程顺序的示意图。

图6显示MLC的阈值电压分布图。

图7显示根据本案第三实施例的存储器装置的编程方法流程图。

图8显示根据本案第三实施例的编程顺序的示意图。

图9显示TLC的阈值电压分布图。

【符号说明】

105-130、405-450、705-740：步骤

P(0)～P(n+2)：编程电压

VR1、VR2、VR1_A、VR2_A、…、VR1_G、VR2_G：验证电压

L1-L8：曲线

605-620、905-940：范围