[发明专利]存储器装置的编程方法

权利要求书

1.一种存储器装置的编程方法，包括：

以一编程电压与一编程码来编程一目标存储器单元；

施加一第一验证电压与一第二验证电压于该目标存储器单元，并得到一第一读取数据与一第二读取数据；以及

根据该编程码、该第一读取数据与该第二读取数据来判断该目标存储器单元是否通过一真正编程验证及/或一虚拟编程验证；

其中，当该目标存储器单元的一阈值电压未超过该第二验证电压，但已超过该第一验证电压，则视为该目标存储器单元已通过该虚拟编程验证，且停止对该目标存储器单元的编程操作。

2.如权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中，

以该第一读取数据的一反相数据、该第二读取数据的一反相数据，或程序代码来得到一下一编程码；以及

根据该目标存储器单元的一位线电位来决定是否对该目标存储器单元执行一编程操作。

3.如权利要求2所述的存储器装置的编程方法，其中，如果所施加的该编程电压未达一最大编程电压，或者该目标存储器单元未通过该真正编程验证也未通过该虚拟编程验证，则增加该编程电压，且将该编程码更新为该下一编程码，以增加的该编程电压与该下一编程码来编程该目标存储器单元。

4.如权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中，当该目标存储器单元的一阈值电压已超过该第二验证电压，则该目标存储器单元已通过该真正编程验证，且停止对该目标存储器单元的编程操作。

5.一种存储器装置的编程方法，包括：

执行一编程操作与一编程-验证操作于一目标存储器单元，该编程操作与该编程-验证操作包括：施加多个编程电压、多个第一验证电压与多个第二验证电压于该目标存储器单元，其中，各这些第一验证电压与各这些第二验证电压之间的一电压差有关于一时间相关漂移特性；以及

决定该目标存储器单元的一阈值电压是否超过各这些第一验证电压及/或各这些第二验证电压，以决定该目标存储器单元是否被编程成功。

6.如权利要求5所述的存储器装置的编程方法，其中，当该目标存储器单元的该阈值电压未超过各这些第二验证电压，但已超过各这些第一验证电压，则视为该目标存储器单元已通过一虚拟编程验证，且停止对该目标存储器单元的编程操作。

7.如权利要求5所述的存储器装置的编程方法，其中，当该目标存储器单元的该阈值电压已超过各这些第二验证电压，则该目标存储器单元已通过一真正编程验证，且停止对该目标存储器单元的编程操作。

8.如权利要求5所述的存储器装置的编程方法，其中，根据该目标存储器单元的一位线电位来决定是否对该目标存储器单元执行一编程操作。