[发明专利]双面电极及其图案化方法有效
申请号: | 201810541243.4 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN110554789B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 萧仲钦;练修成;蔡家扬 | 申请(专利权)人: | 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
地址: | 维尔京群岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 电极 及其 图案 方法 | ||
1.一种双面电极的图案化方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板具有相对两表面,该两表面上分别设有一第一感光层与一第二感光层;
设置由金属纳米线所组成的一第一金属纳米线层于该第一感光层上,设置由金属纳米线所组成的一第二金属纳米线层于该第二感光层上;以及
进行一双面黄光微影步骤,包括:
将该第一感光层及该第二感光层进行曝光以各定义出一去除区与一保留区;以及
使用显影液将位于该去除区的该第一感光层及第二感光层全部去除,藉以移除设置于该第一感光层上的该第一金属纳米线层以及移除设置于该第二感光层上的该第二金属纳米线层,以将该第一金属纳米线层与该第二金属纳米线层图案化而分别形成设置于该两表面上的一第一电极及一第二电极。
2.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法,其特征在于,将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括:
设置一第一曝光源对应该第一感光层,设置一第二曝光源对应该第二感光层,其中该第一曝光源与该第二曝光源为相同波段的曝光源;
其中该第一感光层吸收大于该第一曝光源的光线总能量的80%,该第二感光层吸收大于该第二曝光源的光线总能量的80%。
3.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法,其特征在于,将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括:
设置一第一曝光源对应该第一感光层,设置一第二曝光源对应该第二感光层,其中该第一曝光源与该第二曝光源为相同波段的曝光源;
其中该第一感光层及该第二感光层添加有0.1%~10%的光吸收添加物。
4.如权利要求3所述的双面电极的图案化方法,其特征在于,该光吸收添加物的浓度为1%~3%,该第一曝光源的光线对该第一感光层的穿透率(light transmission)在30%以下,该第二曝光源的光线对该第二感光层的穿透率(light transmission)在30%以下。
5.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法,其特征在于,将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括:
设置一第一曝光源对应该第一感光层,设置一第二曝光源对应该第二感光层,其中该第一曝光源与该第二曝光源为不同波段的曝光源。
6.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法,其特征在于,该第一感光层及该第二感光层为相同感光性的光阻。
7.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法,其特征在于,更包括:
成形一保护层;以及
成形一周边线路,其中该周边线路电性连接该第一电极及该第二电极。
8.一种双面电极,其特征在于,包含:
一基板,其中该基板具有相对的一第一表面及一第二表面;及
设置于该第一表面上的一第一感光层及一第一金属纳米线层与设置于该第二表面上的一第二感光层及一第二金属纳米线层,其中该第一感光层设置于该基板及该第一金属纳米线层之间,其中该第二感光层设置于该基板及该第二金属纳米线层之间;
其中该第一感光层与该第二感光层经曝光后定义出一去除区与一保留区,位于该去除区的该第一感光层经显影而被全部移除时同时移除其所对应的该第一金属纳米线层进而定义出位于该第一表面的一第一电极,位于该去除区的该第二感光层经显影而被全部移除时同时移除其所对应的该第二金属纳米线层进而定义出位于该第二表面的一第二电极。
9.如权利要求8所述的双面电极,其特征在于,该第一感光层及该第二感光层为具有相同光波段吸收特性的光阻,该第一感光层吸收大于一第一曝光源的光线总能量的80%,该第二感光层吸收大于一第二曝光源的光线总能量的80%。
10.如权利要求8所述的双面电极,其特征在于,该第一感光层及该第二感光层为具有相同光波段吸收特性的光阻,该第一感光层及该第二感光层添加有0.1%~10%的光吸收添加物。
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