[发明专利]一种双晶体管硅片切割工艺

说明书

本发明属于多晶硅片生产技术领域，具体的说是一种双晶体管硅片切割工艺，包括如下步骤：选择纯度好的工业硅；将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；利用双晶体管硅片切割器将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。本发明提出了一种双晶体管硅片切割工艺，本发明主要用于对硅片进行定量切割，切割均匀，实现流水线化生产，减轻工作人员的工作量，提高了工作效率。

技术领域

本发明属于多晶硅片生产技术领域，具体的说是一种双晶体管硅片切割工艺。

背景技术

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

双极性晶体管的制作需要硅片，硅片需要切割成一片一片，硅片的厚薄程度是有一定的规格的，若切割不均匀对后期硅片的检测非常麻烦，对工作人员的工作造成一定的影响，从而加重了工作人员的工作量，进而降低了工作效率。所以本发明提供一种双晶体管硅片切割工艺，实现流水线化生产工艺，切割硅片均匀，减轻工作人员的工作量，提高工作效率。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种双晶体管硅片切割工艺，本发明主要用于对硅片进行定量切割，切割均匀，实现流水线化生产，减轻工作人员的工作量，提高了工作效率。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种双晶体管硅片切割工艺，包括如下步骤：

步骤一：选料，选择纯度好的工业硅；

步骤二：步骤一中的工业硅选择好后，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；

步骤三：步骤二中的硅锭凝固后，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；

步骤四：步骤三中的硅锭去除杂质后，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；

步骤五：步骤四中的二次凝固后，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；

步骤六：步骤五中的硅锭二次去杂，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；

步骤七：步骤六中的多晶硅生产后，利用双晶体管硅片切割器将生产的多晶硅切片形成多晶硅片；

所述步骤七中的双晶体管硅片切割器包括固定架、凸轮、电机一、皮带轮一、皮带、导向杆、升降杆、弹簧一、切割模块、压片模块和推送模块，所述的电机一通过支杆安装在固定架上；所述的皮带轮一安装在电机一的电机轴上；所述的皮带套在皮带轮一上；所述的凸轮安装在电机一的电机轴上，凸轮上安装有一圈电磁铁一；所述的导向杆安装在固定架上，导向杆上开设有方孔；所述的升降杆穿过导向杆的方孔，升降杆位于凸轮的下方，升降杆中间开设有长方形凹槽，升降杆的上端设有电磁铁二，电磁铁一和电磁铁二通电时磁极相反；所述的弹簧一的一端固定在升降杆上，弹簧一的另一端固定在导向杆上；所述的切割模块安装在升降杆的下端，切割模块用于对硅片进行切割；所述的压片模块位于升降杆的长方形凹槽中，压片模块用于切割模块工作时对硅片进行压紧；所述的推送模块位于固定架上，推送模块用于推送硅片到切割模块的正下方。