[发明专利]一种双晶体管硅片切割工艺

权利要求书

1.一种双晶体管硅片切割工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：选料，选择纯度好的工业硅；

步骤二：步骤一中的工业硅选择好后，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；

步骤三：步骤二中的硅锭凝固后，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；

步骤四：步骤三中的硅锭去除杂质后，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；

步骤五：步骤四中的二次凝固后，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；

步骤六：步骤五中的硅锭二次去杂，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；

步骤七：步骤六中的多晶硅生产后，利用双晶体管硅片切割器将生产的多晶硅切片形成多晶硅片；

所述步骤七中的双晶体管硅片切割器包括固定架(1)、凸轮(2)、电机一(3)、皮带轮一(4)、皮带(5)、导向杆(6)、升降杆(7)、弹簧一(8)、切割模块(9)、压片模块(10)和推送模块(11)，所述的电机一(3)通过支杆安装在固定架(1)上；所述的皮带轮一(4)安装在电机一(3)的电机轴上；所述的皮带(5)套在皮带轮一(4)上；所述的凸轮(2)安装在电机一(3)的电机轴上，凸轮(2)上安装有一圈电磁铁一；所述的导向杆(6)安装在固定架(1)上，导向杆(6)上开设有方孔；所述的升降杆(7)穿过导向杆(6)的方孔，升降杆(7)位于凸轮(2)的下方，升降杆(7)中间开设有长方形凹槽，升降杆(7)的上端设有电磁铁二，电磁铁一和电磁铁二通电时磁极相反；所述的弹簧一(8)的一端固定在升降杆(7)上，弹簧一(8)的另一端固定在导向杆(6)上；所述的切割模块(9)安装在升降杆(7)的下端，切割模块(9)用于对硅片进行切割；所述的压片模块(10)位于升降杆(7)的长方形凹槽中，压片模块(10)用于切割模块(9)工作时对硅片进行压紧；所述的推送模块(11)位于固定架(1)上，推送模块(11)用于推送硅片到切割模块(9)的正下方。

2.根据权利要求1所述的一种双晶体管硅片切割工艺，其特征在于：所述的切割模块(9)包括皮带轮二(91)、主链轮(92)、固定板(93)、从链轮(94)、链条(95)和刀片(96)，所述的皮带轮二(91)通过转动轴安装在升降杆(7)上，皮带(5)套在皮带轮二(91)上，皮带(5)带动皮带轮二(91)转动；所述的主链轮(92)安装在皮带轮二(91)的转动轴上，皮带轮二(91)带动主链轮(92)转动；所述的固定板(93)安装在升降杆(7)上；所述的从链轮(94)转动安装在固定板(93)上；所述的链条(95)和主链轮(92)、从链轮(94)啮合，主链轮(92)通过链条(95)带动从链轮(94)转动；所述的刀片(96)安装在链条(95)上。

3.根据权利要求2所述的一种双晶体管硅片切割工艺，其特征在于：所述的刀片(96)左侧设有三角形刀刃结构，三角形刀刃结构有利于刀片(96)对硅片进行切割。

4.根据权利要求1所述的一种双晶体管硅片切割工艺，其特征在于：所述的压片模块(10)包括齿轮(101)、齿条一(102)、齿条二(103)、弹簧二(104)、弹簧三(105)、推板(106)、压块(107)、斜杆(108)、滑块(109)和固定轴，所述的齿轮(101)位于长方形凹槽中，齿轮(101)安装在升降杆(7)上；所述的齿条一(102)和齿轮(101)啮合，齿条一(102)的下方开设有凹槽一；所述的弹簧二(104)安装在齿条一(102)的凹槽一内；所述的推板(106)和弹簧二(104)的另一端连接，推板(106)分为两层，左侧层材质是硬质木板，右侧层是材质是橡胶；所述的弹簧三(105)位于升降杆(7)的长方形凹槽的底部；所述的滑块(109)和弹簧三(105)的另一端固定连接；所述的齿条二(103)安装在滑块(109)上，齿条二(103)上设有凹槽三；所述的固定轴固定安装在滑块(109)上；所述的斜杆(108)固定安装在固定轴上；所述的压块(107)安装在斜杆(108)上，压块(107)的下表面设有一层海绵层。