[发明专利]基板支撑装置

说明书

提供了一种基板处理设备、基板处理方法以及基板支撑装置，其防止处理气体在高温处理中侵入基板的后表面。基板支撑装置包括支撑部分，该支撑部分被构造为与在特定温度下变形的基板的边沿去除区域具有线接触。

技术领域

一个或多个实施例涉及基板支撑装置(例如基座)以及包括该基板支撑装置的基板处理设备及基板处理方法，并且更具体地，涉及可以防止待处理的基板的后表面沉积的基板支撑装置以及包括该基板支撑装置的基板处理设备。

背景技术

在半导体沉积设备中，加热器通常可以设置在反应器中以向安装的基板供应热量。加热器被称为加热器块，并且可以包括热线和热电偶(thermoelectric couple，TC)。在加热器块的上端进一步设置有基座，基板在反应空间内基本安装在基座上。但是，当在高温下执行处理时，基座或基板可能由于高温而变形。当处理气体侵入变形的基座与基板之间或变形的基板与基座之间时，可沉积基板的后表面。沉积在基板后表面上的膜可能不仅成为反应器中的污染源，而且成为后续工艺中污染设备的污染源。此外，该膜可能会使半导体装置产量和装置性能劣化。

发明内容

一个或多个实施例包括能够防止在膜沉积过程中使用的气体侵入基板的后表面并在其上形成薄膜的基板支撑装置以及包括该基板支撑装置的基板处理设备。

其它方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例而了解。

根据一个或多个实施例，基板支撑装置包括内部部分、周边部分以及形成在内部部分和周边部分之间的凹入部分，其中第一台阶部分形成在内部部分和凹入部分之间，第二台阶部分形成在周边部分和凹入部分之间。

基板支撑装置还可以包括布置在凹入部分中的边缘，其中边缘布置在第一台阶部分和第二台阶部分之间。

边缘可以包括形成在边缘的朝向内部部分的上表面上的第三台阶部分。

第三台阶部分可以包括垫，并且基板可以容纳在该垫上。

第一台阶部分的高度可以低于垫的高度，使得基板的下表面与内部部分间隔开。

第三台阶部分的高度可以低于基板的上表面。

第一台阶部分和边缘可以彼此间隔开。

第二台阶部分的高度可以低于边缘的高度。

边缘可以包括绝缘体。

基板可以容纳在边缘上，基板可以在特定温度下变形以具有朝向内部部分的一定曲率，并且变形的基板可以与边缘具有线接触。

边缘的形成线接触的部分可以具有非直角形状。

根据一个或多个实施例，用于容纳包括边沿去除区域的基板的基板支撑装置，基板支撑装置包括被构造为与在特定温度下变形的基板的边沿去除区域具有线接触的支撑部分。

当基板在第一温度下容纳在支撑部分上时，边沿去除区域可与支撑部分具有第一接触。

基板可以在高于第一温度的第二温度下变形，使得边沿去除区域和基板的侧表面之间的区域与支撑部分具有第二接触，并且基板和支撑部分通过第二接触彼此接触的区域小于基板和支撑部分通过第一接触彼此接触的区域。

基板支撑装置的形成线接触的部分的表面粗糙度可以小于基板支撑装置的其它部分的表面粗糙度。

基板支撑装置可以进一步包括加热部分，该加热部分与基板间隔开布置，其中根据基板和加热部分之间的距离来控制形成在基板上的薄膜的特性。

根据一个或多个实施例，基板处理设备包括反应器壁、基板支撑装置、加热器块、进气单元、气体供应单元和排气单元，其中反应器壁和基板支撑装置具有形成反应空间的面接触，并且基板支撑装置包括基座主体和边缘。