[发明专利]基板支撑装置有效
申请号: | 201810530514.6 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108987304B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 郑相桭;韩政勳;崔永锡;朴柱赫 | 申请(专利权)人: | ASM知识产权私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 荷兰阿尔梅勒佛斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 装置 | ||
1.一种基板支撑装置,其特征在于,包括:
基座主体,包括:
内部部分,所述内部部分具有凹入表面;
周边部分;
凹入部分,所述凹入部分形成在所述内部部分和所述周边部分之间;以及
边缘,布置在所述凹入部分,
其中在所述内部部分和所述凹入部分之间形成第一台阶部分,在所述周边部分和所述凹入部分之间形成第二台阶部分,且所述边缘布置在所述第一台阶部分与所述第二台阶部分之间
其中所述边缘包括在所述边缘的上表面以及所述边缘的侧表面之间的端角部分,
其中在所述基板支撑装置的剖面上,所述端角部分具有从所述上表面延伸至所述侧表面的圆形轮廓,
其中所述端角部分的所述圆形轮廓具有第一曲率,以增加与受到特定温度而变形的基板的接触宽度,所述凹入表面的第二曲率对应于所述基板受到特定温度而变形的所述第一曲率,
其中所述边缘的外周表面和所述凹入部分的内周表面彼此机械连接,并且
其中所述第一台阶部分与所述边缘彼此间隔,以使所述内部部分或所述边缘受到热膨胀时,维持所述基板支撑装置的形状。
2.根据权利要求1所述的基板支撑装置,其特征在于,所述边缘包括第三台阶部分,所述第三台阶部分形成在所述边缘的朝向所述内部部分的上表面上。
3.根据权利要求2所述的基板支撑装置,其特征在于,所述第三台阶部分包括垫,并且所述垫上容纳有基板。
4.根据权利要求3所述的基板支撑装置,其特征在于,所述第一台阶部分的高度低于所述垫的高度,使得所述基板的下表面与所述内部部分间隔开。
5.根据权利要求4所述的基板支撑装置,其特征在于,所述第三台阶部分的高度低于所述基板的上表面。
6.根据权利要求1所述的基板支撑装置,其特征在于,所述第二台阶部分的高度低于所述边缘的高度。
7.根据权利要求1所述的基板支撑装置,其特征在于,所述边缘包括绝缘体。
8.根据权利要求1所述的基板支撑装置,其特征在于,基板容纳在所述边缘上,
所述基板在特定温度下变形以具有朝向所述内部部分的一定曲率,并且
变形的基板与所述边缘具有线接触。
9.根据权利要求8所述的基板支撑装置,其特征在于,所述边缘的形成线接触的部分具有非直角形状。
10.根据权利要求1所述的基板支撑装置,其特征在于,所述基座主体的导热率高于所述边缘的导热率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造