[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括从衬底突出的多个有源图案。该半导体器件还包括栅极结构。该栅极结构形成在有源图案上，并且跨越有源图案。该栅极结构包括金属。该半导体结构还包括形成在栅极结构上的封盖结构，以及从栅极结构的上表面突出的电介质残留物。该电介质残留物延伸到封盖结构中，并且包括金属。

相关申请的交叉引用

本申请基于35USC§119要求2017年6月19日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请号10-2017-0077320的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例总体上涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及包括鳍型场效应晶体管(finFET)的半导体器件及其制造方法。

背景技术

近来，需要包括具有良好特性的finFET的高度集成的半导体器件。当形成栅极结构时，可能在栅极结构的上表面处产生金属残留物。在栅极结构和导电图案之间可能发生电短路。结果，finFET可能无法正常工作。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件，包括：多个有源图案，所述多个有源图案从衬底的表面突出；以及栅极结构，所述栅极结构在所述有源图案上。所述栅极结构跨越所述有源图案并且包括第一金属。所述半导体器件还包括在所述栅极结构上的封盖结构以及电介质残留物。所述电介质残留物从所述栅极结构的上表面突出，并延伸到所述封盖结构中。所述电介质残留物包含金属。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括从衬底的表面突出的多个有源图案。所述半导体器件还包括覆盖所述有源图案的侧壁和上表面的绝缘中间层。绝缘中间层包括开口。所述开口沿着与所述有源图案的延伸方向交叉的方向而延伸。所述半导体器件还包括在所述开口中的栅极结构。所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅电极。所述半导体器件还包括在所述栅极结构上的封盖结构。所述封盖结构包括彼此堆叠的封盖层和至少一个表面处理层。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括从衬底的表面突出的多个有源图案。所述半导体器件还包括覆盖所述有源图案的侧壁和上表面的绝缘中间层。所述绝缘中间层包括沿着与所述有源图案的延伸方向交叉的方向而延伸的开口。所述半导体器件还包括在所述开口的下部中的栅极结构。所述栅极结构包括金属。所述半导体器件还包括在所述栅极结构上的封盖结构。所述封盖结构包括彼此堆叠的封盖层和至少一个表面处理层。所述半导体器件仍然包括从所述栅极结构的上表面突出并延伸到所述封盖结构中的电介质残留物。所述电介质残留物包括所述栅极结构中包括的金属。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其他特征将变得更显而易见，其中：

图1是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的平面图；

图2是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的横截面图；

图3A、图3B、图4A和图4B分别是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的横截面图；

图5至图14是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造半导体器件的方法的各个阶段的横截面图；

图15是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的横截面图；

图16至图18是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造半导体器件的方法的各个阶段的横截面图；

图19是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的横截面图；

图20是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的横截面图；以及

图21至图23是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造半导体器件的方法的各个阶段的横截面图；