[发明专利]一种偏光器件及其制备方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种偏光器件，其特征在于，包括：衬底基板、金属线栅和减反层，所述金属线栅设置在所述衬底基板上，所述减反层设置在所述金属线栅的上表面，所述减反层为碳膜层，所述碳膜层是由形成所述金属线栅之后残留的光阻胶图形经脱氢碳化处理得到；

还包括：覆盖在所述减反层上的绝缘层，且所述绝缘层的表面粗糙度大于所述减反层的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的偏光器件，其特征在于，所述碳膜层的表面凹凸不平。

3.根据权利要求1所述的偏光器件，其特征在于，所述碳膜层的材料为碳或者含碳聚合物。

4.根据权利要求1所述的偏光器件，其特征在于，还包括：平坦化层，所述平坦化层覆盖所述绝缘层、所述减反层、所述金属线栅和所述衬底基板。

5.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的偏光器件；所述偏光器件的衬底基板与所述显示基板的衬底基板复用。

6.一种显示装置，包括如权利要求1-4中任一项所述的偏光器件，或者，包括如权利要求5所述的显示基板。

7.一种偏光器件的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4中任一项所述的偏光器件，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成金属线栅，并在所述金属线栅的上表面形成减反层，所述减反层为碳膜层；

所述在所述衬底基板上形成金属线栅，并在所述金属线栅的上表面形成减反层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成金属层；

在所述金属层上涂覆光阻胶；

将所述光阻胶图案化，形成光阻胶图形；

对未被所述光阻胶图形覆盖的所述金属层进行刻蚀，形成金属线栅；

对所述光阻胶图形进行脱氢碳化处理，形成所述减反层；

所述对所述光阻胶图形进行脱氢碳化处理，形成所述减反层的步骤之后，还包括：

在所述减反层上沉积绝缘层，沉积完成的绝缘层的表面粗糙度大于减反层的表面粗糙度。

8.根据权利要求7所述的偏光器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺或高温退火工艺对所述光阻胶图形进行脱氢碳化处理。

9.根据权利要求7或8所述的偏光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光阻胶图形进行脱氢碳化处理，形成所述减反层的步骤包括：

将形成有金属线栅和所述光阻胶图形的所述衬底基板置于干刻设备中，所述干刻设备中通有氧气与六氟化硫的混合气体；

激发所述混合气体产生等离子体，轰击所述光阻胶图形，使得所述光阻胶图形脱氢碳化形成所述减反层。