[发明专利]Micro LED显示面板的制作方法

说明书

本发明提供了一种Micro LED显示面板的制作方法。所述Micro LED显示面板的制作方法包括如下步骤：步骤S1、提供一驱动基板，在驱动基板上形成光刻胶层；步骤S2、对所述光刻胶层进行图案化处理，形成阵列排布的多个容置槽；步骤S3、在所述各个容置槽内设置Micro LED；通过图案化光刻胶层制作容置Micro LED的容置槽，能够降低制程难度，提升Micro LED的出光效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro LED显示面板的制作方法。

背景技术

随着可穿戴显示设备的快速发展，出现了微发光二极管(Micro LED，uLED)技术。Micro LED技术即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。Micro LED的耗电量远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)一样属于自发光，能够将像素之间的距离从毫米等级降至微米等级，色彩饱和度接近OLED，所以很多厂商把Micro LED视为下一代的显示技术。

现有技术通过微转印(Micro Transfer Print)法来制作Micro LED阵列：将LED裸芯片(Bare Chip)通过激光剥离(Laser Lift-off，LLO)技术从蓝宝石衬底上分离开后，使用一个图案化的转移基板(Transfer Layer)将LED裸芯片从供给基板吸附起来，转移到接收基板。具体地，这个接收基板是已经预先制备完成电路图案的硅基板，通过将转移基板与接收基板进行对位，转移基板上所吸附的LED裸芯片被贴附到接收基板的匹配位置，再剥离转移基板，即可完成LED裸芯片的转移。诸如US2013/0210194，US2013/0128585等专利对微转印技术有较为细致地描述。

现有技术中的Micro LED的尺寸大小远小于现有的像素尺寸。例如，现有的55寸的全高清显示面板中，其子像素的长宽分别约为在600μm和200μm，而Micro LED的尺寸约为10～50μm左右，这就导致Micro LED的周围有较大区域是不发光的。由于Micro LED发出的光是向各个方向的，因此会有较多的光能损耗在非显示方向上，光源的利用率较低。为了解决上述问题，现有技术提出了一种在基板上制作凹槽结构，并将Micro LED置于凹槽中，利用凹槽的提升Micro LED的光线利用率的技术方案，并且现有技术采用的是刻蚀的方法在基板上形成凹槽，但由于目前多数Micro LED的高度在5～10μm，直接在基板上刻蚀出大于5μm的凹槽在实际操作时制程难度很大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Micro LED显示面板的制作方法，制作方法简便，可操作性高，且制得的Micro LED显示面板的出光效率高。

为实现上述目的，本发明提供了一种Micro LED显示面板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供一驱动基板，在驱动基板上形成光刻胶层；

步骤S2、对所述光刻胶层进行图案化处理，形成阵列排布的多个容置槽；

步骤S3、在所述各个容置槽内设置Micro LED。

所述容置槽的坡度角小于60°。

所述光刻胶层的材料为树脂材料、亚克力材料或硅氧烷材料。

可选地，所述步骤S3中设置的Micro LED为垂直结构的Micro LED；

所述步骤S1中在形成所述光刻胶层之前还包括：在所述驱动基板上形成多个第一像素电极的步骤；

所述步骤S2中形成的每一个容置槽均对应暴露出一第一像素电极；