[发明专利]Micro LED显示面板的制作方法有效
| 申请号： | 201810474811.3 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108538877B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | micro led 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一驱动基板(10)，在驱动基板(10)上形成光刻胶层(30)；
步骤S2、对所述光刻胶层(30)进行图案化处理，形成阵列排布的多个容置槽(40)；
步骤S3、在所述各个容置槽(40)内设置Micro LED(50)；
所述步骤S3中设置的Micro LED(50)为垂直结构的Micro LED；
所述步骤S1中在形成所述光刻胶层(30)之前还包括：在所述驱动基板(10)上形成多个第一像素电极(20a)的步骤；
所述步骤S2中形成的每一个容置槽(40)均对应暴露出一第一像素电极(20a)；
所述步骤S3中Micro LED(50)设置于所述容置槽(40)后，所述Micro LED(50)的第一电极与所述第一像素电极(20a)电性连接；
所述Micro LED显示面板的制作方法在所述步骤S3之后还包括以下步骤：
在所述光刻胶层(30)、第一像素电极(20a)及所述Micro LED(50)上形成一层钝化层(60)；
对所述钝化层(60)进行图案化处理，形成暴露出所述Micro LED(50)的多个过孔(70)；
在所述钝化层(60)上形成阵列排布的多个第二像素电极(80)，每一个第二像素电极(80)均通过一过孔(70)与其对应的Micro LED(50)的第二电极电性连接；
在所述第二像素电极(80)及钝化层(60)上形成保护层(90)。
2.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，所述容置槽(40)的坡度角小于60°。
3.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层(30)的材料为树脂材料、亚克力材料或硅氧烷材料。
4.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，在所述形成所述第二像素电极(80)的步骤和形成所述保护层(90)的步骤之间还包括：在所述Micro LED(50)上方的第二像素电极(80)上形成光转换层(100)的步骤。
5.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，在形成所述保护层(90)之后还包括以下步骤：
在所述保护层(90)上形成贴合层(110)，在所述贴合层(110)上设置封装基板(120)。
6.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中通过曝光及显影制程对所述光刻胶层(30)进行图案化处理；
所述容置槽(40)的深度大于5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
