[发明专利]一种磁传感器及其中的设置/重置电路

说明书

本发明提供一种磁传感器及其中的设置/重置电路，其包括运算放大器、第一开关至第四开关、第一MOS管至第四MOS管和设置/重置线圈。第一MOS管一端与电源端相连，另一端与第三MOS管一端相连，第三MOS管另一端接地，第一和第三MOS管之间的节点称为第一节点；第二MOS管一端与电源端相连，另一端与第四MOS管一端相连，第四MOS管另一端接地，第二和第四MOS管之间的节点称为第二节点；运算放大器的第一输入端与参考电压相连，第二输入端经第一开关与第二节点相连、经第二开关与第一节点相连，输出端经第三开关与第三MOS管的控制端相连、经第四开关与第四MOS管的控制端相连；设置/重置线圈连接于第一和第二节点之间。与现有技术相比，本发明可以为设置/重置线圈提供恒定的设置/重置电流。

【技术领域】

本发明涉及磁传感器技术领域，特别涉及一种AMR(AnisotropicMagnetoresistance,各向异性磁电阻)传感器及其中的设置/重置电路，所述设置/重置电路可以为AMR线圈提供恒定的设置/重置电流。

【背景技术】

现有设计需额外的外部引脚或者内部电荷泵提供足够的电压，给AMR传感器的线圈提供设置/重置(set/reset)的电流，但占用额外的芯片面积以及后续成本，也易受到工艺、温度和电源电压的影响，不能提供稳定可靠的设置/重置电流脉冲，去配置磁阻感测单元的初始磁化方向。

因此，有必要提供一种新的技术方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种磁传感器及其中的设置/重置电路，其中，所述设置/重置电路可以为AMR线圈(即设置/重置线圈)提供恒定的设置/重置电流，从而达到正确配置磁阻感测单元初始磁化方向的目的。

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，本发明提供一种磁传感器的设置/重置电路，其用于配置所述磁传感器的磁阻感测单元的初始磁化方向，所述设置/重置电路包括运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和设置/重置线圈。第一MOS管的第一连接端与电源端相连，其第二连接端与第三MOS管的第一连接端相连，第三MOS管的第二连接端接地，第一MOS管和第三MOS管之间的连接节点称为第一连接节点；第二MOS管的第一连接端与电源端相连，其第二连接端与第四MOS管的第一连接端相连，第四MOS管的第二连接端接地，第二MOS管和第四MOS管之间的连接节点称为第二连接节点。所述运算放大器的第一输入端与参考电压相连，其第二输入端通过第一开关与第二连接节点相连，其第二输入端通过第二开关与第一连接节点相连，其输出端通过第三开关与第三MOS管的控制端相连，其输出端通过第四开关与第四MOS管的控制端相连，设置/重置线圈连接于第一连接节点和第二连接节点之间。

进一步的，当设置/重置电路收到设置命令时，第一开关和第四开关闭合，第二开关和第三开关断开，第一MOS管和第四MOS管导通，第二MOS管和第三MOS管截止；当设置/重置电路收到重置命令时，第一开关和第四开关断开，第二开关和第三开关闭合，第一MOS管和第四MOS管截止，第二MOS管和第三MOS管导通。

进一步的，所述第一MOS管和第二MOS管均为PMOS晶体管，所述第一MOS管和第二MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极；所述第三MOS管和第四MOS管均为NMOS晶体管，所述第三MOS管和第四MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极。

进一步的，所述参考电压Vref＝VDD-Vcoil，其中，VDD为所述电源端的电压值；Vcoil为初始磁化电压的电压值，其至少等于设置/重置线圈的初始磁化方向所需的最小电压值，当设置/重置线圈的电压至少等于初始磁化方向所需的最小电压值时，能正确配置磁阻感测单元的初始磁化方向。

进一步的，所述参考电压为恒定电压，其不随工艺、温度的变化而变化。