[发明专利]一种磁传感器及其中的设置/重置电路

权利要求书

1.一种磁传感器的设置/重置电路，其用于配置所述磁传感器的磁阻感测单元的初始磁化方向，其特征在于，其包括运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和设置/重置线圈，

其中，第一MOS管的第一连接端与电源端相连，其第二连接端与第三MOS管的第一连接端相连，其控制端与设置信号相连，第三MOS管的第二连接端接地，第一MOS管和第三MOS管之间的连接节点称为第一连接节点；第二MOS管的第一连接端与电源端相连，其第二连接端与第四MOS管的第一连接端相连，其控制端与重置信号相连，第四MOS管的第二连接端接地，第二MOS管和第四MOS管之间的连接节点称为第二连接节点，

所述运算放大器的第一输入端与参考电压相连，其第二输入端通过第一开关与第二连接节点相连，其第二输入端通过第二开关与第一连接节点相连，其输出端通过第三开关与第三MOS管的控制端相连，其输出端通过第四开关与第四MOS管的控制端相连，设置/重置线圈连接于第一连接节点和第二连接节点之间。

2.根据权利要求1所述的磁传感器的设置/重置电路，其特征在于，

当设置/重置电路收到设置命令时，第一开关和第四开关闭合，第二开关和第三开关断开，第一MOS管和第四MOS管导通，第二MOS管和第三MOS管截止；

当设置/重置电路收到重置命令时，第一开关和第四开关断开，第二开关和第三开关闭合，第一MOS管和第四MOS管截止，第二MOS管和第三MOS管导通。

3.根据权利要求2所述的磁传感器的设置/重置电路，其特征在于，

所述第一MOS管和第二MOS管均为PMOS晶体管，所述第一MOS管和第二MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极；

所述第三MOS管和第四MOS管均为NMOS晶体管，所述第三MOS管和第四MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极。

4.根据权利要求2所述的磁传感器的设置/重置电路，其特征在于，

所述参考电压Vref＝VDD-Vcoil，其中，VDD为所述电源端的电压值；Vcoil为初始磁化电压的电压值，其至少等于设置/重置线圈的初始磁化方向所需的最小电压值，

当设置/重置线圈的电压至少等于初始磁化方向所需的最小电压值时，能正确配置磁阻感测单元的初始磁化方向。

5.根据权利要求4所述的磁传感器的设置/重置电路，其特征在于，

所述参考电压为恒定电压，其不随工艺、温度的变化而变化。

6.根据权利要求2所述的磁传感器的设置/重置电路，其特征在于，

第一开关、第二开关、第三开关和第四开关为PMOS晶体管，NMOS晶体管或TGATE。

7.根据权利要求2所述的磁传感器的设置/重置电路，其特征在于，

所述电源端为所述磁传感器所属芯片的电源引脚。

8.一种磁传感器，其特征在于，其包括磁阻感测单元和如权利要求1-7任一所述的设置/重置电路。