[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的复合发光层，所述复合发光层包括在所述阴极或所述阳极的表面水平铺设的用于控制载流子复合区域的至少一个量子点材料条形单元和至少两个铁磁性材料条形单元，且至少有一个所述量子点材料条形单元位于两个所述铁磁性材料条形单元之间。该量子点发光二极管可将载流子的复合区域控制在复合发光层中心，从而提高载流子复合率，进一步地提高了器件的发光效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是基于空穴和电子在量子点发光层复合成为激子后再辐射发光，其外量点效率(EQE)取决于光耦合效率、自旋态发光效率、载流子平衡率等。在实际的QLED发光器件中、由于载流子注入和传输不平衡，导致发光层中电子和空穴数目不一致，且两者的传输速度不一致，从而造成载流子在靠近一侧界面间聚集并发光，严重降低了发光效率。

通常面对上述现象，人们会在发光层与载流子传输层之间设置一层载流子阻挡层，用来降低漏电流以及平衡载流子，使其在发光层均匀发光，而非聚集在一侧界面处发光。对于增加载流子阻挡层的方法，一方面会增加载流子注入势垒，另一方面也会增加工艺和成本，因此寻求更加合适的方法成为平衡载流子的当务之急。

众所周知，载流子在磁场中运动时，如果运动方向与磁场方向垂直，根据左手定则，载流子会受到洛伦兹力的作用，从而发生偏转。在传统的磁控溅射中，就是利用载流子在环形磁场中受到的洛伦兹力的作用，将载流子控制在靠近磁场的区域，从而提高了溅射速率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管中载流子迁移过快导致在界面聚集发光的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的复合发光层，所述复合发光层包括在所述阴极或所述阳极的表面水平铺设的用于控制载流子复合区域的至少一个量子点材料条形单元和至少两个铁磁性材料条形单元，且至少有一个所述量子点材料条形单元位于两个所述铁磁性材料条形单元之间。。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供铁磁性材料，将所述铁磁性材料沉积在阴极或阳极上，生长具有条形图案的铁磁性材料层；

将量子点材料沉积在所述具有条形图案的铁磁性材料层的间隙内，得到复合发光层；其中，所述复合发光层包括在所述阴极或所述阳极的表面水平铺设的用于控制载流子复合区域的至少一个量子点材料条形单元和至少两个铁磁性材料条形单元，且至少有一个所述量子点材料条形单元位于两个所述铁磁性材料条形单元之间。。

本发明提供的量子点发光二极管中，复合发光层包括同一水平面的至少一个量子点材料条形单元和至少两个铁磁性材料条形单元，而且至少有一个所述量子点材料条形单元位于两个所述铁磁性材料条形单元之间，这样的复合发光层中形成了一个环形磁场，当载流子进入复合发光层后，位于两个铁磁性材料条形单元之间的量子点材料条形单元内的载流子受到磁场中的洛伦兹力和内部的电场力共同作用，使载流子的运动发生偏转，从而形成螺旋形轨迹，此时载流子被控制在复合发光层中心，通过将载流子的复合区域控制在复合发光层中心，可提高载流子复合率，进一步地提高了器件的发光效率。