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[发明专利]铁磁性材料-CN200480004979.4无效
发明人： P·夏尔马;K·V·拉奥;B·约翰松;R·阿胡贾 -专利权人： NM自旋电子学股份公司
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法通过向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5原子％。优选在最高650℃的温度下对该材料进行烧结。该方法的结果是包含Mn掺杂ZnO的半导体材料，且Mn的浓度不超过5at％，其中所述的Mn掺杂ZnO在约218K至425K温度范围的至少一部分是铁磁性的。
铁磁性材料

[发明专利]自旋扭矩转移存储器单元结构及方法-CN201180044874.1有效
发明人：斯蒂芬·J·克拉梅尔;居尔泰·S·桑德胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一个或一个以上STT存储器单元结构包含：隧穿势垒材料，其定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间；及多铁性材料，其与所述铁磁性存储材料接触，其中所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料位于第一电极与第二电极之间
自旋扭矩转移存储器单元结构方法

[发明专利]信息存储元件和向/从信息存储元件写入/读取信息的方法-CN200910205175.5无效
发明人：大森広之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：该信息存储元件包括：带状的铁磁性材料层(铁磁性记录层)、置于铁磁性材料层的一端的第一电极、置于铁磁性材料层的另一端的第二电极，以及由反铁磁性材料构成并且与铁磁性材料层的至少一部分接触设置的反铁磁性区域，该方法包括下述步骤：在第一电极和第二电极之间施加电流，以产生电流诱导的畴壁运动；在铁磁性材料层中，将磁化状态作为信息写入到磁化区域中，或者，作为信息从磁化区域读取磁化状态；以及在畴壁运动时，消除或减少铁磁性材料层和反铁磁性区域之间的交换耦合
信息存储元件写入读取方法

[发明专利]电磁场诱发铁磁性材料动态弯曲疲劳测试装置及方法-CN201711338470.9在审
发明人：王鸣;李新;徐洋;黄海旭 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G01N3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电磁场诱发铁磁性材料动态弯曲疲劳测试装置及方法。该装置包括：夹持系统：对铁磁性材料试件一端进行夹持；电磁场系统：用于产生磁场，对铁磁性材料试件进行循环加载，循环应力来源于电磁感应力；数据采集系统：测出铁磁性材料试件弯曲的最大位移。本发明通过调节电流的大小来控制铁磁性材料试件的最大位移，使铁磁性材料试件在磁场中做单悬臂梁循环弯曲运动，进行动态弯曲疲劳测试；利用数据采集速率和实时采集的最大位移信号的数量计算出铁磁性材料试件断裂的时间得到疲劳寿命，得出疲劳寿命与铁磁性材料试件厚度之间的关系，为微电子行业和半导体行业中电子元件用铁磁性箔材料的可靠性评价提供了直接的实际数据基础。
电磁场诱发铁磁性材料动态弯曲疲劳测试装置方法

[发明专利]自旋扭矩转移存储器单元结构及方法-CN201180044872.2有效
发明人：斯蒂芬·J·克拉梅尔;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一个或一个以上STT存储器单元结构包含定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间的隧穿势垒材料。所述隧穿势垒材料为多铁性材料且所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料定位于第一电极与第二电极之间。
自旋扭矩转移存储器单元结构方法

[发明专利]基于矫顽力的铁磁性材料电磁无损检测系统及检测方法-CN201710438187.7在审
发明人：杨勇;陈健飞;杨为刚;孙振华;柳言国;刘丽;陈凯;刘超;王遂平;刘晶姝;谭晓林 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司胜利油田分公司技术检测中心
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：基于矫顽力的铁磁性材料电磁无损检测系统及检测方法，属于铁磁性材料电磁无损检测领域。包括被测铁磁性材料（4），其特征在于设置有微处理器模块、模数转换模块、激励信号发生模块、采集周期控制模块、信号调理模块、功率放大模块、磁测探头模块以及采样电阻模块，以及如下步骤步骤1，选取标准铁磁材料；步骤2，得到标准铁磁材料的磁滞回曲线；步骤3，得到被测铁磁性材料（4）的磁滞回曲线；步骤4，确定被测铁磁性材料（4）的内部应力程度。通过本基于矫顽力的铁磁性材料电磁无损检测系统及检测方法，可以更为精确地对铁磁性材料的内部应力情况进行检测同时电路结构更为简洁。
基于矫顽力铁磁性材料电磁无损检测系统方法

[发明专利]一种动生巴克豪森噪声应力测量方法及装置-CN202110978575.0在审
发明人：崔西明;邱志鹏;宋凯;吴思樊;晏晨辉 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01L1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种动生巴克豪森噪声应力测量方法及装置，通过恒定磁场对铁磁性材料进行磁化；将恒定磁场与铁磁性材料作相对运动，在铁磁性材料中诱发巴克豪森噪声；采用动生巴克豪森噪声信号拾取单元，获取动生巴克豪森噪声信号；采用动生巴克豪森噪声信号计算铁磁性材料的应力。有效解决了铁磁性材料构件高速运动的场景下应力在线测量的难题，测量精度更加可靠、精确。可以在铁磁性材料表面运动进行表面积延展较大的平面型板材的应力测量，也可以采用铁磁性材料从动生巴克豪森噪声应力测量装置中间穿过的形式对铁磁管材、线材、丝材进行在线应力测量。
一种巴克噪声应力测量方法装置

[发明专利]信息存储元件及其信息读写方法-CN200910179480.1无效
发明人：大森広之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：一种信息存储元件，包括：带状铁磁性材料层；布置在铁磁性材料层的第一端处的第一电极；以及布置在铁磁性材料层的第二端处的第二电极；其中通过在第一电极与第二电极之间施加电流来产生电流感生磁畴壁运动，在铁磁性材料层中，磁化状态被写入磁化区中作为信息或者磁化状态从磁化区被读取作为信息，各磁化区中的磁化方向平行于铁磁性材料层的厚度的方向；以及在读写信息时，在铁磁性材料层中产生从铁磁性材料层的第二端到其第一端单调降低的温度分布
信息存储元件及其读写方法

[发明专利]自旋扭矩转移存储器单元结构及方法-CN201180044857.8有效
发明人：斯蒂芬·J·克拉梅尔;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一个或一个以上STT存储器单元结构包括STT堆叠，所述STT堆叠包含：钉扎铁磁性材料，其与反铁磁性材料接触；隧穿势垒材料，其定位于铁磁性存储材料与所述钉扎铁磁性材料之间；多铁性材料，其与所述铁磁性存储材料接触；及第一电极及第二电极，其中所述反铁磁性材料、所述钉扎铁磁性材料及所述铁磁性存储材料位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述STT存储器单元结构可包含第三电极及第四电极，其中所述多铁性材料的至少第一部分位于所述第三电极与所述第四电极之间。
自旋扭矩转移存储器单元结构方法

[发明专利]非铁磁性材料的无损检测方法-CN201010520108.5无效
发明人：于润桥;柯黎明;孟永乐;鞫伟 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G01N27/83 文献下载
摘要：一种非铁磁性材料的无损检测方法，方法步骤为：非铁磁性材料置于均匀的地磁场中，地磁力线均匀穿过非铁磁性材料本体，由于非铁磁性材料磁阻特性的存在，非铁磁性材料会引起地磁场强度衰减，对检测数值处理检验。本发明的优点是：该方法无需耦合剂、无需人工磁化、检测深度不受材料厚度限制、设备轻便、检测工艺简单、检测过程由机器控制、重复性好、不依赖于检测人员的技水平和工作态度。
铁磁性材料无损检测方法

[发明专利]重力磁动机-CN200410025339.3无效
发明人：吴峰旗 -专利权人：吴峰旗
申请日： 2004-06-22 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种重力磁动机，旨在提供一种不需要外部能源、没有污染、以永磁体与铁磁性材料体间的引力及铁磁性材料体自身重力作为动力源的动力输出装置。其特征是：轮子的中央有一根轴，轮子的外缘一周平均设有垂直于轴的杆，每根杆上套有平行于轴的铁磁性材料体，杆的顶端设有限位器，铁磁性材料体在杆上可滑动，铁磁性材料体的两端设有滑轮，机壳两内侧壁上设有滑轮轨道从整体上看分布在轮子外缘一周杆上的铁磁性材料体左右不对称，其中一边铁磁性材料体到轴的距离要大于另一边，也就是说一边铁磁性材料体产生的转动力矩要大于另一边，这样轮子就会不停地转动对外输出动力。
重力动机

[发明专利]包含稀土氮化物的磁性材料和设备-CN201580027695.5有效
发明人： S·E·格兰维尔;E·J·安东;F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;J·F·麦克纳尔蒂 -专利权人： S·E·格兰维尔;E·J·安东;F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;J·F·麦克纳尔蒂
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了包含稀土氮化物的磁性材料，且更具体地，公开了包含多层结构的材料的磁性材料，所述多层结构的材料包括一个相对软的磁性层和一个相对硬的磁性层。所述磁性材料包含第一铁磁性层、第二铁磁性层、和在所述第一铁磁性层和第二铁磁性层之间并与所述第一铁磁性层和第二铁磁性层分别接触的阻挡层。所述第一铁磁性层和第二铁磁性层具有不同的矫顽场。所述第一铁磁性层包含第一稀土氮化物材料以及所述第二铁磁性层包含第二稀土氮化物材料。本发明还公开了用于制备所述材料的方法。所述材料可用于设备的制造，例如GMR磁场传感器、MRAM设备、TMR磁场传感器、和磁性隧道结。
包含稀土氮化物磁性材料设备

[发明专利]一种制作柔性OLED显示器件的方法-CN201510383409.0在审
发明人：徐超 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提出了一种制作柔性OLED显示器件的方法，包括以下步骤：在柔性基板的一个板面上形成铁磁性材料层；将铁磁性材料层抵接平整的承载面，并对铁磁性材料层施加指向所述承载面的引力磁力。铁磁性材料层在引力磁力的作用下与平整的承载面抵接，使得柔性基板被展平。同时，柔性基板1被固定在承载面上。
一种制作柔性 oled 显示器件方法

[发明专利]防电磁干扰元件及其制造方法-CN201210276147.4有效
发明人：唐敏注;柯文淞;杨明达;王丽君 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：这种防电磁干扰元件包括至少一铁磁性材料外层和位在铁磁性材料外层内的正温度系数电阻(PTCR)材芯层、第一和第二电极。PTCR材芯层被第一和第二电极夹在于铁磁性材料外层内，且第一与第二电极分别延伸至铁磁性材料外层的两端。
电磁干扰元件及其制造方法

[发明专利]平面式磁性元件及其制造方法-CN201210509999.3在审
发明人：温耀隆 -专利权人：上海卓凯电子科技有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01F37/00 文献下载
摘要：一种平面式磁性元件，包括基板及磁性结构。磁性结构镶嵌于基板中。磁性结构包括铁磁性材料层及至少一第一硬质保护层。铁磁性材料层具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。第一硬质保护层设置于铁磁性材料层的第一侧。本发明的平面式磁性元件通过在铁磁性材料层的一侧设置第一硬质保护层，以保护铁磁性材料层，使其避免在压合过程中产生破裂的现象，从而提升对铁粉芯的保护能力，进而提高利用平面式磁性元件所制作的变压器的良率。本发明还提供一种平面式磁性元件的制作方法。
平面磁性元件及其制造方法

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