[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201810455728.1 | 申请日: | 2018-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN108666351A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
| 发明(设计)人: | 简庆宏;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何倚雯 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示器件 显示面板 第二基板 次像素 第一基板 显示装置 交错对应 透光区域 相对设置 出光面 分辨率 解析度 申请 制作 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧设置有第一显示器件,第二基板靠近第一基板的一侧设置有第二显示器件,第一显示器件和第二显示器件的出光面均朝向第二基板;其中,第一显示器件的次像素和第二显示器件的次像素交错对应设置,且第二显示器件中与第一显示器件的次像素对应的区域为透光区域。通过上述方式,本申请能够提高示面板中次像素的密度,进而增加了显示面板的分辨率,提高了显示面板的解析度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)具有高对比度、广色域、自发光、响应速度快等优点,特别是在柔性(flexible)显示技术方面更是有多方面的应用。如今虽然OLED在显示和照明领域取得了优异的成果,然而目前OLED如何提升超高解析度,是需要被探讨的。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够提高示面板中次像素的密度,进而增加了显示面板的分辨率,提高了显示面板的解析度。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种显示面板,该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧设置有第一显示器件,第二基板靠近第一基板的一侧设置有第二显示器件,第一显示器件和第二显示器件的出光面均朝向第二基板;其中,第一显示器件的次像素和第二显示器件的次像素交错对应设置,且第二显示器件中与第一显示器件的次像素对应的区域为透光区域。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置,该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧设置有第一显示器件,第二基板靠近第一基板的一侧设置有第二显示器件,第一显示器件和第二显示器件的出光面均朝向第二基板;其中,第一显示器件的次像素和第二显示器件的次像素交错对应设置,且第二显示器件中与第一显示器件的次像素对应的区域为透光区域。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板的制作方法,该制作方法包括:提供一柔性基板;在柔性基板同一侧面上的两个区域分别形成第一显示器件和第二显示器件;其中,第一显示器件和第二显示器件的出光面均朝向第二基板;将柔性基板弯折,以使第一显示器件和第二显示器件相对设置;其中,第一显示器件的次像素和第二显示器件的次像素交错对应设置,且第二显示器件中与第一显示器件的次像素对应的区域为透光区域。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请提供的显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧设置有第一显示器件,第二基板靠近第一基板的一侧设置有第二显示器件,第一显示器件和第二显示器件的出光面均朝向第二基板;其中,第一显示器件的次像素和第二显示器件的次像素交错对应设置,且第二显示器件中与第一显示器件的次像素对应的区域为透光区域。通过上述方式,将两个显示器件叠置,另两个显示器件中的次像素交错对位,使显示面板中的次像素密度提高了一倍,进而增加了显示面板的分辨率,提高了显示面板的解析度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本申请提供的显示面板第一实施例的结构示意图;
图2是本申请提供的显示面板第二实施例的结构示意图;
图3是本申请提供的显示面板第三实施例的结构示意图;
图4本申请提供的显示面板的制作方法一实施例的流程示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





