[发明专利]像素结构、掩模板及OLED显示基板在审
申请号: | 201810447536.6 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108447892A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 梅菊;嵇凤丽;何潘婷 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素结构 掩模板 子像素 显示产品 像素单元 工艺难度 同种颜色 白光 对位 基板 良率 制作 开口 | ||
本发明提供了一种像素结构、掩模板及OLED显示基板,属于显示技术领域。其中,像素结构,包括多个像素单元,每个像素单元包括三种不同颜色的子像素,所述三种不同颜色的子像素发出的光线能够混合成白光,所述像素结构中,至少两个同种颜色的子像素在空间上相邻。本发明的技术方案能够增大制作像素结构的掩模板的开口、使得掩模板的对位空间变大,降低制作高PPI像素结构的工艺难度,进而提升显示产品的PPI,提高显示产品良率、降低生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种像素结构、掩模板及OLED显示基板。
背景技术
近年来,有机电致发光(Organic Light-Emitting Display,OLED)显示技术正逐渐发展壮大并有取代液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的趋势。该种发光技术需要通过高精度掩模板将发光材料蒸镀到有效显示区,为了获得高的分辨率,需要提高显示装置每英寸所拥有的像素数目即像素密度(Pixels per inch,PPI),这就需要减小像素尺寸,而像素尺寸越小,加工工艺难度就越高,而且随着工艺的不断精细化,工艺提高也会达到极限。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种像素结构、掩模板及OLED显示基板,能够增大制作像素结构的掩模板的开口、使得掩模板的对位空间变大,降低制作高PPI像素结构的工艺难度,进而提升显示产品的PPI,提高显示产品良率、降低生产成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种像素结构,包括多个像素单元,每个像素单元包括三种不同颜色的子像素,所述三种不同颜色的子像素发出的光线能够混合成白光,所述像素结构中,至少两个同种颜色的子像素在空间上相邻。
进一步地,所述像素结构包括多个像素重复单元,每个像素重复单元包括四个所述像素单元,四个所述像素单元包括第一像素单元、第二像素单元、第三像素单元和第四像素单元,其中,第一像素单元与第二像素单元位于同一行,第三像素单元与第四像素单元位于另一行,第一像素单元与第三像素单元位于同一列,第二像素单元与第四像素单元位于另一列,第一像素单元中的子像素与第二像素单元中的子像素相对于像素重复单元列方向上的中心线对称,第三像素单元中的子像素与第四像素单元中的子像素相对于像素重复单元列方向上的中心线对称。
进一步地,所述第一像素单元包括两个第一颜色子像素、两个第二颜色子像素和两个第三颜色子像素,其中,一第一颜色子像素和一第二颜色子像素的延伸方向为行方向,依次排列在第一行,另一第一颜色子像素、两个第三颜色子像素、另一第二颜色子像素的延伸方向为列方向,依次排列在第二行;
所述第三像素单元包括两个第一颜色子像素、两个第二颜色子像素和两个第三颜色子像素,其中,一第二颜色子像素和一第一颜色子像素的延伸方向为行方向,依次排列在第一行,另一第二颜色子像素、两个第三颜色子像素、另一第三颜色子像素的延伸方向为列方向,依次排列在第二行。
进一步地,所述第一像素单元包括两个第一颜色子像素、两个第二颜色子像素和两个第三颜色子像素,其中,一第二颜色子像素、两个第三颜色子像素、一第一颜色子像素的延伸方向为列方向,依次排列在第一行;另一第二颜色子像素和另一第一颜色子像素的延伸方向为行方向,依次排列在第二行;
所述第三像素单元包括两个第一颜色子像素、两个第二颜色子像素和两个第三颜色子像素,其中,一第一颜色子像素、两个第三颜色子像素、一第二颜色子像素的延伸方向为列方向,依次排列在第一行,另一第一颜色子像素和另一第二颜色子像素的延伸方向为行方向,依次排列在第二行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的