[发明专利]一种甘薯种植方法

说明书

本发明公开了一种甘薯种植方法，包括以下步骤：1)选取背风向阳、富含有机质的土地，进行深耕翻土，耕深35‑40cm，起垄20‑25cm高，垄间距80‑100cm，在垄内施加有机肥，每亩施有机肥150kg；2)选取优质甘薯品种，每亩种植密度2800‑3000株；3)一个月后追肥，每亩追氮肥15kg，并同时人工除去垄内杂草；4)生长中期进行提蔓，提蔓时间在封垄后茎叶旺盛生长期进行，进行1‑2次，在多雨季节或茎叶生长过旺的情况下，适当增加提蔓次数；在干旱少于或生长缓慢的情况下，不需要提蔓，8月底后停止提蔓；5)秋季在日平均温度为15度时，选取晴天进行收获。本发明科学管理种植过程，提高甘薯亩产量。

技术领域

本发明涉及一种甘薯种植方法。

背景技术

目甘薯，又名甜薯，旋花科薯蓣属缠绕草质藤本。地下块茎顶分枝末端膨大成卵球形的块茎，外皮淡黄色，光滑。茎左旋，基部有刺，被丁字形柔毛。单叶互生，阔心脏形；雄花序为穗状花序，单生，雄花无梗或具极短的梗；苞片卵形，顶端渐尖；花被浅杯状，被短柔毛；蒴果三棱形，顶端微凹，基部截形，每棱翅状；种子圆形，具翅。花期初夏。甘薯属喜光的短日照作物，性喜温，不耐寒，较耐旱。主要分布在北纬40°以南。栽培面积以亚洲最多，非洲次之，美洲居第3位。1994年世界甘薯总面积为938万公顷，总产量为12433.9万吨。

发明内容

本发明针对现有技术的不足提供了一种甘薯种植方法。

本发明为实现以上目的，采用如下方案：

一种甘薯种植方法，包括以下步骤：

1)选取背风向阳、富含有机质的土地，进行深耕翻土，耕深35-40cm，起垄20-25cm高，垄间距80-100cm，在垄内施加有机肥，每亩施有机肥150kg；

2)选取优质甘薯品种，每亩种植密度2800-3000株；

3)一个月后追肥，每亩追氮肥15kg，并同时人工除去垄内杂草；

4)生长中期进行提蔓，提蔓时间在封垄后茎叶旺盛生长期进行，进行1-2次，在多雨季节或茎叶生长过旺的情况下，适当增加提蔓次数；在干旱少于或生长缓慢的情况下，不需要提蔓，8月底后停止提蔓；

5)秋季在日平均温度为15度时，选取晴天进行收获。

本发明和现有技术相比，具有如下优点和有益效果：科学管理种植过程，提高甘薯亩产量，产量相对传统方式提高8％-10％，甘薯含糖量提高5％。

具体实施方式

实施例1：

1)选取背风向阳、富含有机质的土地，进行深耕翻土，耕深35-40cm，起垄20-25cm高，垄间距80-100cm，在垄内施加有机肥，每亩施有机肥150kg；

2)选取优质甘薯品种，每亩种植密度2800-3000株；

3)一个月后追肥，每亩追氮肥15kg，并同时人工除去垄内杂草；

4)生长中期进行提蔓，提蔓时间在封垄后茎叶旺盛生长期进行，进行1-2次，在多雨季节或茎叶生长过旺的情况下，适当增加提蔓次数；在干旱少于或生长缓慢的情况下，不需要提蔓，8月底后停止提蔓；

5)秋季在日平均温度为15度时，选取晴天进行收获。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。