[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201810414461.1 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108565269B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 朱昭宇;罗谚桦;黄馨谆;郭文瑞 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
一种显示面板,包括沿方向延伸的扫描线、沿该方向相邻设置的第一及第二像素结构。第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案及第一漏极。第一栅极与第一半导体图案层重叠。第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层电连接。第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案及第二漏极。第二栅极与第二半导体图案层重叠。第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿与该方向相交的方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口。第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层电连接。
技术领域
本发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于一种高分辨率显示面板。
背景技术
随着显示面板的发展,高分辨率已经成为基本需求之一。在目前的显示面板中,通常透过将像素的尺寸缩小以达成高分辨率。举例而言,近年来虚拟现实头戴式显示器蓬勃发展,其需要显示面板的每英寸像素(pixel per inch;ppi)达1000ppi以上,以避免因为分辨率不够高,人眼会看到如马赛克般的纹路。然而,目前像素尺寸缩小的程度已达到极限,使得目前显示面板的每英寸像素无法突破1000ppi以上。因此,如何开发出分辨率能达1000ppi以上的显示面板,实为研发者所欲达成的目标之一。
发明内容
本发明提供一种显示面板,其分辨率能达到1000ppi以上。
本发明的显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括:扫描线、第一数据线、第二数据线、第一像素结构及第二像素结构。扫描线、第一数据线以及第二数据线配置在一基板上,其中扫描线沿第一方向延伸,第一数据线以及第二数据线沿第二方向延伸,且第一方向与第二方向相交。第一像素结构位于第一数据线与第二数据线之间,且第一像素结构包括:第一主动元件以及第一像素电极。第一主动元件包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极以及第一漏极。第一半导体图案层包括第一源极区、第一漏极区及第一信道区,第一信道区位于第一源极区与第一漏极区之间。第一栅极与第一通道区于垂直基板方向上重叠且与扫描线电性连接。第一绝缘图案位于第一半导体图案层上方,其中第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经由第一接触窗开口与第一漏极区电性连接,且第一源极与第一数据线及第一源极区电性连接。第一像素电极与第一漏极电性连接。第二像素结构与第一像素结构沿第一方向相邻设置,位于第一数据线与第二数据线之间,且包括第二主动元件以及第二像素电极。第二主动元件包括:第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极以及一第二漏极。第二半导体图案层包括第二源极区、第二漏极区及第二信道区,第二信道区位于第二源极区与第二漏极区之间。第二栅极与第二通道区于垂直基板方向上重叠且与扫描线电性连接。第二绝缘图案位于第二半导体图案层上,其中第二绝缘图案具有第二接触窗开口,且第二接触窗开口与第一接触窗开口沿第二方向分别位于扫描线的相对两侧。第二漏极经由第二接触窗开口与第二漏极区电性连接,且第二源极与第二数据线及第二源极区电性连接。第二像素电极与第二漏极电性连接。
基于上述,透过本发明的显示面板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一数据线与第二数据线、以及位于第一数据线与第二数据线之间且沿第一方向相邻设置的第一像素结构及第二像素结构,其中第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极及第一漏极,第一绝缘图案具有第一接触窗开口,第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层的第一漏极区电性连接,第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极及第二漏极,第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿第二方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口,第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层的第二漏极区电性连接,藉此本发明的显示面板的分辨率能达到1000ppi以上。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施方式,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的