[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201810414461.1 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108565269B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 朱昭宇;罗谚桦;黄馨谆;郭文瑞 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括多个像素单元,每一像素单元包括:
一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线,配置在一基板上,其中该扫描线沿一第一方向延伸,该第一数据线以及该第二数据线沿一第二方向延伸,且该第一方向与该第二方向相交;
一第一像素结构,位于该第一数据线与该第二数据线之间,且该第一像素结构包括:
一第一主动元件,包括:
一第一半导体图案层,包括一第一源极区、一第一漏极区及一第一通道区,该第一通道区位于该第一源极区与该第一漏极区之间;
一第一栅极,与该第一通道区于垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接;
一第一绝缘图案,位于该第一半导体图案层上,其中该第一绝缘图案具有一第一接触窗开口;以及
一第一源极以及一第一漏极,其中该第一漏极经由该第一接触窗开口与该第一漏极区电性连接,且该第一源极与该第一数据线及该第一源极区电性连接;以及
一第一像素电极,与该第一漏极电性连接;以及
一第二像素结构,与该第一像素结构沿该第一方向相邻设置,位于该第一数据线与该第二数据线之间,且该第二像素结构包括:
一第二主动元件,包括:
一第二半导体图案层,包括一第二源极区、一第二漏极区及一第二通道区,该第二通道区位于该第二源极区与该第二漏极区之间;
一第二栅极,与该第二通道区于该垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接;
一第二绝缘图案,位于该第二半导体图案层上,其中该第二绝缘图案具有一第二接触窗开口,且该第二接触窗开口与该第一接触窗开口沿该第二方向分别位于该扫描线的相对两侧;以及
一第二源极以及一第二漏极,其中该第二漏极经由该第二接触窗开口与该第二漏极区电性连接,且该第二源极与该第二数据线及该第二源极区电性连接;以及
一第二像素电极,与该第二漏极电性连接;
其中,该第一半导体图案层及该第二半导体图案层分别为具有一短部与一长部的L形半导体图案层,该第一半导体图案层的该短部位于该扫描线的一第一侧,该第二半导体图案层的该短部位于该扫描线的一第二侧。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该第一漏极区位于该第一半导体图案层的该短部上,该第一通道区及该第一源极区位于该第一半导体图案层的该长部上;以及
该第二漏极区位于该第二半导体图案层的该短部上,该第二通道区及该第二源极区位于该第二半导体图案层的该长部上。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该第一半导体图案层的该长部与该第一数据线于该垂直基板方向上实质重叠,该第一半导体图案层的该短部朝向远离该第一数据线的方向延伸,以及该第二半导体图案层的该长部与该第二数据线于该垂直基板方向上实质重叠,该第二半导体图案层的该短部朝向远离该第二数据线的方向延伸。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
该第一主动元件更包括:
一第三栅极,与该扫描线电性连接且与该第一半导体图案层的一第三通道区于该垂直基板方向上重叠,其中该第三通道区位于该第一通道区与该第一源极区之间;
该第二主动元件更包括:
一第四栅极,与该扫描线电性连接且与该第二半导体图案层的一第四通道区重叠,其中该第四通道区位于该第二通道区与该第二源极区之间;以及
该扫描线包括一第一分支及一第二分支,该第一分支连接于该第三栅极,且该第二分支连接于该第四栅极。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
该第一像素结构更包括:
一第一遮蔽图案,配置于该基板上且与该第一通道区及该第三通道区于该垂直基板方向上重叠,其中该第一遮蔽图案沿该第二方向延伸;以及
该第二像素结构更包括:
一第二遮蔽图案,配置于该基板上且与该第二通道区及该第四通道区于该垂直基板方向上重叠,其中该第二遮蔽图案沿该第二方向延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的