[发明专利]偏光膜、其制造方法以及显示元件

说明书

一种偏光膜，包括：设置于基板上的无机氮化硅层、设置于无机氮化硅层上的无机氧化硅层、以及设置于无机氧化硅层上的金属层，且无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。

技术领域

本发明是有关于一种偏光膜，且特别是有关于一种用于上发光式主动有机发光二极管的偏光膜。

背景技术

在有机发光二极管的技术领域中，主动有机发光二极管(Active Matrix OrganicLight-Emitting Diode，AMOLED)被广泛应用于显示设备中。其中，上发光式主动有机发光二极管(top-view OLED)的结构中，因其开口率较高，且不受薄膜晶体管数目增加的影响，故较为常见。但因其结构中具有高反射率的金属层，而需于封装盖板外贴附圆偏光片降低外界光反射，以防止影响对比。

然而，圆偏光片的价格昂贵，因此使得显示设备的制造成本也跟着提高，且现有的圆偏光片的光穿透率过低，因而衍生出发光二极管的亮度不足的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种偏光膜，其能够取代实质偏光片的作用，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果，以降低制作成本。

本发明的偏光膜设置于基板上，包括：无机氮化硅层、设置于无机氮化硅层上的无机氧化硅层、以及设置于无机氧化硅层上的金属层，且无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。

在本发明的一实施例中，上述的金属层含有钼。

在本发明的一实施例中，上述的偏光膜更包括：设置于金属层上的钝化层。

在本发明的一实施例中，上述的钝化层为无机氧化硅层。

在本发明的一实施例中，上述的偏光膜在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。

在本发明的一实施例中，上述的金属层的厚度为50至

在本发明的一实施例中，上述的金属层的厚度为50至

在本发明的一实施例中，上述的无机氧化硅层的厚度为25至

在本发明的一实施例中，上述的钝化层的厚度为50至

本发明也提供一种偏光膜的制造方法，包括：

于基板上积层无机氮化硅层的步骤、

于无机氮化硅层上积层无机氧化硅层的步骤、以及

于无机氧化硅层上积层金属层的步骤，

且无机氧化硅层为富含硅的氮化硅层。

在本发明的一实施例中，上述的积层无机氧化硅层的步骤是透过化学气相沉积法进行。

在本发明的一实施例中，上述的偏光膜的制造方法更包括：

于金属层上积层钝化层的步骤。

本发明另提供一种显示元件，包括：薄膜晶体管基板、设置于薄膜晶体管基板上的有机电致发光层、设置于有机电致发光层上的基板、以及如上述的偏光膜，设置于基板上，且位于基板与有机电致发光层之间。

基于上述，本发明的偏光膜能够取代实质偏光片的作用，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果，以降低制作成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施例的偏光膜的剖面图。

图2是本发明的另一实施例的偏光膜的剖面图。