[发明专利]偏光膜、其制造方法以及显示元件在审
| 申请号： | 201810394098.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108508522A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赖葳;陈加明;黄彦士;陈亦伟;叶佳元;李文仁;沈永裕 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机氧化硅 氮化硅层 偏光膜 显示元件 氧化硅层 金属层 富含 基板 制造 | ||
1.一种偏光膜，设置于一基板上，该偏光膜包括：
一无机氮化硅层，设置于该基板上；
一无机氧化硅层，设置于该无机氮化硅层上；以及
一金属层，设置于该无机氧化硅层上，且
该无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该金属层含有钼。
3.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，更包括：
一钝化层，设置于该金属层上。
4.根据权利要求3所述的偏光膜，其特征在于，该钝化层为无机氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该偏光膜在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。
6.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该金属层的厚度为50至
7.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该金属层的厚度为50至
8.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该无机氧化硅层的厚度为25至
9.根据权利要求3所述的偏光膜，其特征在于，该钝化层的厚度为50至
10.一种偏光膜的制造方法，其特征在于，包括：
于一基板上积层一无机氮化硅层的步骤；
于该无机氮化硅层上积层一无机氧化硅层的步骤；以及
于该无机氧化硅层上积层一金属层的步骤，且
该无机氧化硅层为富含硅的氮化硅层。
11.根据权利要求10所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，积层该无机氧化硅层的步骤透过化学气相沉积法进行。
12.根据权利要求10所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，该金属层含有钼。
13.根据权利要求10所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，更包括：
于该金属层上积层一钝化层的步骤。
14.根据权利要求13所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，该钝化层为无机氧化硅层。
15.根据权利要求10所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，该金属层的厚度为50至
16.根据权利要求10所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，该金属层的厚度为50至
17.根据权利要求10所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，该无机氧化硅层的厚度为25至
18.根据权利要求13所述的偏光膜的制造方法，其特征在于，该钝化层的厚度为50至
19.一种显示元件，其特征在于，包括：
一薄膜晶体管基板；
一有机电致发光层，设置于该薄膜晶体管基板上；
一基板，设置于该有机电致发光层上；以及
权利要求1至9中任一所述的偏光膜，设置在该基板上，且该偏光膜位于该基板与该有机电致发光层之间。
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