[发明专利]一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，引线框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架、芯片与引线框架通过塑封材料塑封在一起，铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片一侧从所述塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，从而加强了芯片的散热，延长了器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件。

背景技术

半导体是一种导电性介于良导电体与绝缘体之间的物质，半导体器件是一种利用半导体材料制作而成的一种电子器件。通常用来制造半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓。

并且随着半导体器件技术的发展，半导体器件一直在往高性能、高可靠性和小型化的方向发展。一般情况下，功率半导体分立器件大都采用TO系列封装的封装方式。而对于TO系列封装的功率器件散热问题是首要需要解决的，因为功率器件的散热将直接影响着器件的可靠性及性能。

对于上述问题，目前功率器件一般采用焊线方式来实现电性连接，由于导线的截面积小长度较长导致阻抗增大，且随着使用时间的延长焊线可靠性也降低。有的芯片在封装时是全部封装在环氧树脂里，这种情况下芯片的散热只能由环氧树脂进行散热。另外传统TO系列封装的功率器件一般只是芯片下方的引线框架外露，芯片上方的由环氧树脂塑封，这种情况下芯片的热量一般只能通过引线框架单面散热；

综上所述，现有技术中的半导体器件的散热性很差，容易导致芯片寿命下降。

发明内容

本发明提供一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件，用以解决现有技术中的半导体器件的散热性很差，容易导致芯片寿命下降的问题。

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：

铜桥框架；

引线框架；

所述铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，所述引线框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架、所述芯片与所述引线框架通过塑封材料塑封在一起，所述铜桥框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出，所述引线框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出。

本发明半导体器件包括铜桥框架和引线框架，铜桥框架与引线框架之间设置有芯片，芯片与引线框架之间通过结合材连接，芯片与铜桥框架之间通过结合材连接，并且芯片、铜桥框架与引线框架通过塑封材料塑封在一起；铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片一侧从塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，从而加强了芯片的散热，延长了器件的使用寿命。

优选的，所述铜桥框架具有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述芯片的功率电极连接，所述第二焊盘与所述芯片的栅极连接。

优选的，所述第一框架具有弯折部，所述弯折部上方设置有用于与芯片焊接的凸起平台，所述凸起平台朝向所述弯折部还设置有用于定位结合材的凹槽。

优选的，所述第二框架设置有与第一框架相对应的弯折部。

优选的，所述引线框架设置有用于与所述芯片连接的连接部。

优选的，所述塑封材料是环氧树脂。

优选的，所述结合材的材料为锡膏。

优选的，本发明还提供一种集成半导体器件，包括上述技术方案中提到的任一所述的半导体器件。

优选的，本发明还提供一种半导体器件的封装方法，该封装方法包括：